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반도체 이론 레포트2024.11.111. 산화물 반도체 기술 1.1. 산화물 반도체의 정의, 장단점 및 활용 가능한 영역 산화물 반도체는 금속 양이온과 산소 음이온의 이온결합으로 이루어진 화합물 반도체이다. 산화물 반도체의 전도대의 최저점(Conduction Band Minimum, CBM)의 주 구성 요소는 주로 산화물 반도체를 구성하는 금속들의 s오비탈인 반면에 가전자대의 최대점(Valence Band Maximum, VBM)은 주로 산소의 p오비탈들로 이루어져 있다. 대부분의 산화물 반도체는 비정질임에도 불구하고 높은 전자 이동도(>10cm2/Vs)를 나타내...2024.11.11
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hemt2024.11.131. HEMT(High Electron Mobility Transistor) 1.1. 용어 설명 HEMT(High Electron Mobility Transistor)는 전자의 이동도가 높은 트랜지스터를 뜻한다. 일반적인 전계효과 트랜지스터(FET)의 특징이라 볼 수 있는 입력과 출력의 양 전극간에 흐르는 전류를 제3의 게이트 전극의 전압으로 제어 방식을 따르므로 HEMT는 일종의 FET 소자라고 볼 수 있다. 연산속도는 피코초에 이르며, 초전도물질을 이용한 조셉슨소자와 함께 차기 슈퍼 컴퓨터 연산처리 장치 (CPU:Central...2024.11.13
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IGZO2024.11.261. 박막 트랜지스터(TFT)의 기본 구조와 특성 1.1. TFT의 개념과 종류 1.1.1. a-Si TFT a-Si TFT는 비정질 실리콘(amorphous silicon, a-Si)을 반도체층으로 사용하는 박막 트랜지스터이다. a-Si TFT는 기존 결정질 실리콘(crystalline silicon, c-Si) 기반의 트랜지스터에 비해 제조 공정이 단순하고 대면적 제작이 용이하다는 장점으로 인해 LCD 패널의 주요 구동소자로 주목받아 왔다. a-Si TFT는 단순한 구조와 제조 공정으로 인해 낮은 제조 단가의 장점이 있지만...2024.11.26