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지스트2024.09.091. 트랜지스터의 구조와 동작 1.1. NPN, PNP접합 NPN과 PNP 접합은 트랜지스터의 구조와 동작을 이해하는 데 필수적이다. NPN 접합은 두 개의 N형 반도체 사이에 얇은 P형 반도체를 끼운 구조이며, PNP 접합은 그 반대의 구조를 갖는다. NPN 접합의 경우, 에미터는 N형 자유전자를 매우 많이 가지고 있으며 베이스는 P형으로 전공의 양이 에미터보다 훨씬 적어야 한다. 또한 베이스의 두께는 매우 얇아야 한다. 에미터와 베이스 간 PN 접합이 순방향이 되도록 전압을 걸면 약간의 에미터-베이스 간 전압 Veb로 큰 ...2024.09.09
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bjt 고정 바이어스 및 전압 분배기 바이어스 회로2025.03.251. 서론 1.1. BJT 고정 바이어스 및 전압 분배기 바이어스 회로의 개요 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)는 차단영역, 포화영역, 활성영역(선형영역)의 3가지 동작 영역을 가진다. 활성영역에서는 최소의 왜곡을 가지는 증폭작용에 사용된다. 이를 위해 베이스-이미터 접합에는 순방향, 베이스-콜렉터 접합에는 역방향으로 DC 전압이 인가된다. 고정 바이어스는 비교적 간단한 구성을 가지지만, 전달비(β)와 온도에 민감하여 동작점이 불안정하다는 단점이 있다. 반면 전압 분배기 바이어스는 전달비가 아닌 저항 등의 회로 요소에 의존하므...2025.03.25
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전자 6장 bjt2025.03.111. 전자 6장 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT) 특성 1.1. 실험 목적 BJT의 종류와 단자를 구분하는 방법을 알아보고 alpha와 beta값을 구하여 출력특성을 알아보는 것이 이번 실험의 목적이다. BJT는 바이폴라 접한 트랜지스터로 전자와 정공 두 가지 캐리어가 전류의 메커니즘에 관여하는 반도체 소자이다. NPN트랜지스터와 PNP트랜지스터의 두 가지 구조가 있으며, 중앙의 단자는 베이스이고 외부층은 각각 콜렉터와 에미터이다. 트랜지스터는 전류를 증폭시키는데 쓰이는데, 작은 전류가 베이스에 인가되면 컬렉터단에서 증폭이 된다...2025.03.11
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전자회로 실험 17장2024.10.221. 공통 이미터 트랜지스터 증폭기 1.1. 이론 개요 1.1.1. 공통 이미터(common-emitter, CE) 트랜지스터 증폭기 공통 이미터(common-emitter, CE) 트랜지스터 증폭기는 널리 이용되는 회로이다. 이 회로는 일반적으로 10에서 수백에 이르는 큰 전압 이득을 얻을 수 있고, 적절한 입력과 출력 임피던스를 제공한다. CE 트랜지스터 증폭기는 베이스-이미터 접합에 입력 신호를 인가하고 컬렉터-이미터 단자 사이에서 증폭된 출력 신호를 얻는 구조이다. 트랜지스터의 베이스와 컬렉터가 공유되는 것이 특징이다. ...2024.10.22
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지스트2024.09.131. 트랜지스터의 구조와 동작 1.1. NPN, PNP접합 NPN 접합은 두 개의 N형 반도체 사이에 아주 얇은 P형 반도체를 끼운 샌드위치 구조이다. 이렇게 N과 P와 N의 세 부분으로 이루어진 NPN 접합은 하나의 단결정에 제작된다. 이 세 개의 전극을 에미터(Emitter), 베이스(Base), 컬렉터(Collector)라고 하며 기호로 E, B, C로 나타낸다. PNP 접합은 NPN 접합과 반대로 P형 반도체 사이에 아주 얇은 N형 반도체가 끼워진 구조이다. 역시 이 세 부분이 하나의 단결정에 제작되어 있다. PNP 접합...2024.09.13