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반도체 공정2024.10.201. 반도체 제조 공정 개요 1.1. 웨이퍼 제조 공정 웨이퍼 제조 공정은 반도체 제품 생산의 첫 번째 단계로, 실리콘을 단결정으로 성장시켜 얇게 슬라이싱한 웨이퍼를 제작하는 과정이다. 웨이퍼는 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등의 반도체 물질을 단결정 기둥(ingot)으로 성장시킨 뒤, 적당한 두께로 얇게 절단한 원판을 말한다. 실리콘을 사용하는 이유는 자연계에서 흔하게 발견되고, 경제적으로 저렴하며, 인체에 무해하기 때문이다. 이러한 웨이퍼 제조 공정은 크게 폴리실리콘 잉곳 제조, 웨이퍼 슬라이싱, 웨이퍼 표면...2024.10.20
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반도체 후공정2024.08.271. 반도체 제조 공정 1.1. 웨이퍼 공정 웨이퍼 공정은 반도체 제조의 가장 근간이 되는 단계이다. 웨이퍼는 실리콘 잉곳(ingot)을 얇게 슬라이스하여 만든 둥근 원판 모양의 기판이다. 웨이퍼 공정에서는 이러한 웨이퍼 기판 위에 각종 공정을 거쳐 반도체 회로를 형성하게 된다. 먼저 실리콘 잉곳을 얻기 위해서는 고순도의 실리콘을 용융하여 단결정으로 성장시켜야 한다. 실리콘 잉곳의 직경은 최근 들어 점점 커지고 있는데, 현재 300mm와 450mm 웨이퍼가 주로 사용되고 있다. 이렇게 성장된 실리콘 잉곳은 와이어 쌓기 공정을 ...2024.08.27