총 15개
-
광운대2024.09.211. 반도체 공정 1.1. Front End Process 1.1.1. 웨이퍼 및 재료 실리콘 웨이퍼 기판은 반도체 공정에서 가장 기본적이고 중요한 재료로, 트랜지스터와 메모리 소자 등을 제작하는 기반이 된다. 반도체 산업의 발전과 더불어 웨이퍼의 크기와 집적도가 지속적으로 증가해 왔다. 2000년대 초반까지는 200mm 웨이퍼가 주로 사용되었으나, 현재는 300mm 웨이퍼가 가장 보편적이며 450mm 웨이퍼 개발도 진행되고 있다. 웨이퍼의 기본 제조 방식은 Czochralski (CZ) 방법으로, 고순도 실리콘 잉곳을 성장...2024.09.21
-
반도체 공정 실습 및 C-V 측정2024.09.211. 반도체 공정 실습 1.1. 웨이퍼 준비 1.1.1. 웨이퍼의 종류 웨이퍼는 p형과 n형이 있으며 결정 방향에 따라 (0 0 1)부터 (1 1 1)으로 나누어진다. 채널의 종류에 따라 도핑타입, 도핑농도에 따라 저항특성, 결정방향에 따라 면밀도 차이로 인한 특성이 바뀌게 된다." 1.1.2. 클리닝 공정 클리닝 공정은 Si 웨이퍼 표면에 형성된 얇은 산화층과 먼지를 제거하기 위한 중요한 공정이다. 웨이퍼 표면의 오염물질은 후속 공정에 큰 영향을 미칠 수 있기 때문에 클리닝 공정이 필수적이다. 클리닝 공정은 크게 SPM-C...2024.09.21
-
면저항 측정2024.09.211. 도체와 반도체의 면저항 측정 1.1. 실험 목적 이 실험의 목적은 비저항, 면저항 등의 개념을 확실히 알고, 서로 다른 시편의 면저항을 측정한 후 각각의 시편의 면저항이 왜 다른지 생각해보고 어떤 재료를 사용하여 설계하고자 할 때 가장 적합한 재료를 선택할 수 있는 능력을 키우는데 있다. 또한 박막형태의 재료들의 면저항을 측정해보고, 재료의 전기적 특성을 분석해 다양한 공학 분야에 적용시켜 이용하기 위함이다. 1.2. 이론적 배경 1.2.1. 면저항 및 비저항 면저항은 단위 ohm/sq로 표시되며, 여기서 sq는 ㅁ로도 표...2024.09.21
-
반도체공정2024.09.281. 반도체 공정 개요 1.1. 웨이퍼 제조 웨이퍼는 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 만든 단결정 기둥을 적당한 두께로 얇게 자른 원판이다. 이 중에서도 실리콘(Si)을 주로 사용하는데, 그 이유는 실리콘이 자연계에서 흔하고 경제적이며 인체에 무해하기 때문이다. 실리콘 웨이퍼를 제조하는 과정은 다음과 같다. 먼저 폴리실리콘(Poly Silicon)이라는 실리콘 원료를 뜨거운 열로 녹여 고순도의 실리콘 용액을 만든다. 이를 초크랄스키(Czochralski, CZ) 방식으로 단결정 기둥인 잉곳(Ingot)...2024.09.28
-
반도체 소자, 반도체 공정, ALD2024.10.021. 반도체 공정 개요 1.1. 반도체 공정의 주요 단계 반도체 공정의 주요 단계는 다음과 같다. 웨이퍼 공정은 실리콘 잉곳을 가공하여 웨이퍼를 만드는 단계이다. 실리콘 잉곳을 자르고 연마하여 표면을 평탄하게 만들고, 열처리를 통해 웨이퍼의 결정구조를 개선한다. 이후 웨이퍼에 산화막을 증착하여 기본적인 절연체를 형성한다. 다음으로는 노광 공정이다. 웨이퍼 표면에 감광 물질인 포토레지스트를 코팅하고, 마스크를 통해 빛을 쬐어 원하는 패턴을 형성한다. 이를 통해 웨이퍼 표면에 회로의 모양을 새길 수 있다. 그 다음 단계는 증착...2024.10.02
-
저진공 펌프2024.10.071. 진공 펌프의 이해 1.1. 진공의 개념 진공이란 원래 라틴어로 'vacua', 즉 기체(물질)가 없는 공간의 상태를 의미하지만 실제로는 작업상 지장이 없는 압력상태를 말하는 경우가 많다. 지구표면의 압력은 질소(N2), 산소(O2), 기타 아르곤, 탄소가스, 수증기 등의 혼합가스체가 해면상에서 1기압(760Torr)인 상태이다. 이때 공기의 밀도는 표준상태(0℃, 760Torr) 기준으로 1mole [22.4ℓ]중에 약 6 x 1023개의 공기분자로 구성되어 있다. 대기압보다 낮은 상태를 진공이라고 하며, 분자밀도가 2....2024.10.07
-
반도체 최신동향2024.10.301. 반도체 기술 동향 1.1. 실리콘 IC 공정 1.1.1. MOS 오늘날 대부분의 반도체 제품은 디지털 특성을 가지고 있으며 CMOS(complementary metal oxide semiconductor)로 생산된다. CMOS는 비교적 낮은 전력소모와 대량생산에서 기인한 저가격 등의 장점을 지닌다. CMOS는 셀룰러폰이나 기타 무선 제품 내의 기저대역 처리 기능에 독점적으로 사용되고 있다. CMOS 기술의 핵심은 MOS(metal-oxide-semiconductor) 트랜지스터이다. MOS 트랜지스터는 금속-절연체-반도체...2024.10.30
-
반도체공정실습2024.11.071. 반도체 공정 실습 1.1. 웨이퍼 준비 1.1.1. 웨이퍼의 종류 웨이퍼는 p형과 n형이 있으며 결정 방향에 따라 (0 0 1)부터 (1 1 1)로 나뉜다. 채널의 종류, 도핑 타입, 도핑 농도에 따라 저항 특성이 달라지며 결정 방향에 따라 면밀도 차이로 인해 특성이 변화한다. 예를 들어 (1 1 1) 방향의 웨이퍼는 (0 0 1) 방향에 비해 면밀도가 더 높아 전자의 이동도가 좋다. 이처럼 웨이퍼의 결정 방향은 소자의 성능에 중요한 영향을 미치므로, 공정 시 이를 고려해야 한다. 1.1.2. 웨이퍼 클리닝 공정 웨이퍼 클...2024.11.07
-
반도체 공정2024.10.201. 반도체 제조 공정 개요 1.1. 웨이퍼 제조 공정 웨이퍼 제조 공정은 반도체 제품 생산의 첫 번째 단계로, 실리콘을 단결정으로 성장시켜 얇게 슬라이싱한 웨이퍼를 제작하는 과정이다. 웨이퍼는 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등의 반도체 물질을 단결정 기둥(ingot)으로 성장시킨 뒤, 적당한 두께로 얇게 절단한 원판을 말한다. 실리콘을 사용하는 이유는 자연계에서 흔하게 발견되고, 경제적으로 저렴하며, 인체에 무해하기 때문이다. 이러한 웨이퍼 제조 공정은 크게 폴리실리콘 잉곳 제조, 웨이퍼 슬라이싱, 웨이퍼 표면...2024.10.20
-
실리콘 집적회로 공정기술2024.10.161. 반도체 기본 공정 기술 1.1. 웨이퍼 웨이퍼는 반도체 직접 회로를 만드는 주요재료로 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 얻은 단결정 기둥(Ingot)를 적당한 지름으로 얇게 썬 원판모양의 판을 말한다. 대부분의 웨이퍼는 실리콘으로 만들어지며, 실리콘은 안정적으로 얻을 수 있는 재료이고 환경적으로 우수한 장점이 있다. 실리콘은 원가가 저렴하고 특성이 우수하며 열에도 강하다. 하지만 고출력이 필요한 전력 반도체의 경우 실리콘만으로는 출력이 부족하거나 반도체의 크기가 너무 커질 수 있기 때문에 탄화규소 또는...2024.10.16
1 / 2
