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반도체 후공정2024.08.271. 반도체 제조 공정 1.1. 웨이퍼 공정 웨이퍼 공정은 반도체 제조의 가장 근간이 되는 단계이다. 웨이퍼는 실리콘 잉곳(ingot)을 얇게 슬라이스하여 만든 둥근 원판 모양의 기판이다. 웨이퍼 공정에서는 이러한 웨이퍼 기판 위에 각종 공정을 거쳐 반도체 회로를 형성하게 된다. 먼저 실리콘 잉곳을 얻기 위해서는 고순도의 실리콘을 용융하여 단결정으로 성장시켜야 한다. 실리콘 잉곳의 직경은 최근 들어 점점 커지고 있는데, 현재 300mm와 450mm 웨이퍼가 주로 사용되고 있다. 이렇게 성장된 실리콘 잉곳은 와이어 쌓기 공정을 ...2024.08.27
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반도체 공정 수율 개선2024.09.021. 반도체 제조 공정의 이해 1.1. 웨이퍼 공정 1.1.1. 웨이퍼 제조 및 특징 웨이퍼는 반도체 제조에 사용되는 얇고 원반 형태의 실리콘 기판이다. 웨이퍼는 단결정 실리콘 잉곳(ingot)을 여러 단계의 가공 과정을 거쳐 생산된다. 먼저 고순도의 실리콘 원료를 용융시켜 단결정 실리콘 잉곳을 제조한다. 이 잉곳은 지름이 약 30cm에 달하며 길이가 1미터까지 도달한다. 그 다음으로 잉곳을 절단하여 원형의 웨이퍼 형태로 만들어낸다. 잉곳 절단 시 최대한 얇게 자르는 것이 중요한데, 이는 웨이퍼의 가공성과 직결되기 때문이다....2024.09.02
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반도체 8대공정2025.08.061. 서론 1.1. 반도체 공정 개요 반도체 공정은 오늘날 우리 사회에서 매우 중요한 기술이다. 반도체 소자는 전자기기의 핵심 부품으로서 정보화 시대를 이끌어가고 있으며, 반도체 제조 공정은 이러한 반도체 소자 생산의 근간이 된다. 반도체 공정은 크게 전공정과 후공정으로 나뉘며, 총 8가지 주요 공정으로 구성된다. 반도체 공정의 첫 단계인 웨이퍼 제조 공정에서는 고순도 실리콘 잉곳을 만들고 이를 적절한 두께로 절단한 뒤, 웨이퍼 표면을 연마하고 클리닝하여 불순물을 제거한다. 이어서 웨이퍼 표면에 열적으로 산화막을 형성하여 전기...2025.08.06