1. 서론 1.1. 실험 목적 실리콘은 반도체 소자 제조에 널리 사용되는 중요한 재료이다. 이는 실리콘이 고품질의 산화막(SiO2)을 형성할 수 있기 때문이다. 이 산화막은 반도체 소자에서 절연체로 사용되어 전류와 도핑물질의 이동을 막는 역할을 한다. 따라서 고품질의 SiO2 박막을 성장시키는 산화 기술은 반도체 공정에서 매우 중요하다. 이번 실험에서는 열 산화(Thermal oxidation) 방법을 통해 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성시키고, 산화막의 두께 변화를 관찰함으로써 산화 공정의 기본 원리와 공정 변수들에 대해 이...