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산화공정2025.04.021. 서론 1.1. 실험 목적 실리콘은 반도체 소자 제조에 널리 사용되는 중요한 재료이다. 이는 실리콘이 고품질의 산화막(SiO2)을 형성할 수 있기 때문이다. 이 산화막은 반도체 소자에서 절연체로 사용되어 전류와 도핑물질의 이동을 막는 역할을 한다. 따라서 고품질의 SiO2 박막을 성장시키는 산화 기술은 반도체 공정에서 매우 중요하다. 이번 실험에서는 열 산화(Thermal oxidation) 방법을 통해 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성시키고, 산화막의 두께 변화를 관찰함으로써 산화 공정의 기본 원리와 공정 변수들에 대해 이...2025.04.02
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반도체 공정2024.10.201. 반도체 제조 공정 개요 1.1. 웨이퍼 제조 공정 웨이퍼 제조 공정은 반도체 제품 생산의 첫 번째 단계로, 실리콘을 단결정으로 성장시켜 얇게 슬라이싱한 웨이퍼를 제작하는 과정이다. 웨이퍼는 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등의 반도체 물질을 단결정 기둥(ingot)으로 성장시킨 뒤, 적당한 두께로 얇게 절단한 원판을 말한다. 실리콘을 사용하는 이유는 자연계에서 흔하게 발견되고, 경제적으로 저렴하며, 인체에 무해하기 때문이다. 이러한 웨이퍼 제조 공정은 크게 폴리실리콘 잉곳 제조, 웨이퍼 슬라이싱, 웨이퍼 표면...2024.10.20