총 3개
-
반도체 최신동향2024.10.301. 반도체 기술 동향 1.1. 실리콘 IC 공정 1.1.1. MOS 오늘날 대부분의 반도체 제품은 디지털 특성을 가지고 있으며 CMOS(complementary metal oxide semiconductor)로 생산된다. CMOS는 비교적 낮은 전력소모와 대량생산에서 기인한 저가격 등의 장점을 지닌다. CMOS는 셀룰러폰이나 기타 무선 제품 내의 기저대역 처리 기능에 독점적으로 사용되고 있다. CMOS 기술의 핵심은 MOS(metal-oxide-semiconductor) 트랜지스터이다. MOS 트랜지스터는 금속-절연체-반도체...2024.10.30
-
전자회로 jfet2024.10.201. JFET의 구조 및 종류 1.1. n채널 JFET n채널 JFET은 n형 반도체 물질로 제작된 채널 영역의 양쪽에 p형 반도체 물질을 확산시켜 만든 접합 전계효과 트랜지스터이다. n채널 JFET에서는 소스와 드레인 사이에 n형 채널이 형성되며, 게이트와 채널 사이에는 역방향으로 바이어스된 p-n 접합이 존재한다. 게이트에 음의 전압을 인가하면 채널과 게이트 사이에 공핍층이 형성되고, 이에 따라 채널 폭이 좁아지게 된다. 채널 폭이 좁아짐에 따라 채널의 저항이 증가하여 소스에서 드레인으로 흐르는 전류가 감소하게 된다. 이처...2024.10.20
-
전자공학2024.09.091. 트랜지스터 특성 관찰 1.1. 바이폴라 트랜지스터의 특성 관찰 바이폴라 트랜지스터의 특성 관찰은 오실로스코프를 이용하여 트랜지스터의 입출력 특성을 직접 관찰하는 실습이다. 먼저, 브레드보드에 회로를 구성하고 오실로스코프 ch.1로 베이스-에미터 간 전압 파형을, ch.2로 콜렉터 전류를 나타내는 전압 파형을 각각 관찰한다. 이 때 1V의 전압이 몇 mA의 콜렉터 전류를 나타내는지 확인한다. 다음으로 오실로스코프를 XY 모드로 놓아 트랜지스터의 특성곡선을 디스플레이한다. 이 특성곡선은 Si 다이오드의 전압-전류 특성곡선과...2024.09.09