총 2개
-
2N70002024.09.271. MOSFET 소자 특성 측정 1.1. 목적 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것이 이 실습의 목적이다. 1.2. 실습준비물 실습준비물은 DC Power Supply(2 channel) 1대, Digital Multimeter (이하 DMM) 1대, 40cm 잭-집게 연결선 (빨강) 4개, 40cm 잭-집게 연결선 (검정) 4개, Br...2024.09.27
-
전자회로 실험 17장2024.10.221. 공통 이미터 트랜지스터 증폭기 1.1. 이론 개요 1.1.1. 공통 이미터(common-emitter, CE) 트랜지스터 증폭기 공통 이미터(common-emitter, CE) 트랜지스터 증폭기는 널리 이용되는 회로이다. 이 회로는 일반적으로 10에서 수백에 이르는 큰 전압 이득을 얻을 수 있고, 적절한 입력과 출력 임피던스를 제공한다. CE 트랜지스터 증폭기는 베이스-이미터 접합에 입력 신호를 인가하고 컬렉터-이미터 단자 사이에서 증폭된 출력 신호를 얻는 구조이다. 트랜지스터의 베이스와 컬렉터가 공유되는 것이 특징이다. ...2024.10.22