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증폭기의 주파수 응답 결과2024.12.021. 증폭기의 주파수 응답 특성 1.1. 실험 개요 이 실험에서는 [실험 17]에서 구현한 공통 소오스 증폭기의 주파수 응답 특성을 실험함으로써 대역폭(bandwidth)의 개념을 이해하고, 이득과 대역폭 사이의 관계를 파악하고자 한다. 증폭기에 사용되는 트랜지스터 내부의 기생 커패시턴스들로 인해 주파수에 따라 전압 이득 및 위상이 변하며, 어느 주파수 대역까지 증폭기의 전압 이득이 유지되는지의 척도인 대역폭을 알아야 원하는 응용 범위에 사용할 수 있다. 또한 증폭기의 전류나 면적이 제한되어 있을 때 증폭기 전압 이득과 대역폭의...2024.12.02
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mosfet 프로젝트2024.10.021. 서론 1.1. 전자회로 실험 프로젝트 개요 전자회로 실험 프로젝트 개요는 다음과 같다. 이번 프로젝트의 목적은 MOSFET을 활용하여 다단증폭기 회로를 설계하고 분석하는 것이다. 실생활에서 출력이나 통신 장비에는 대부분 앰프가 내장되어 있다. 무선 통신 장비, 스피커 앰프, 센서 등 약해진 입력 신호를 증폭하는 데 앰프가 필수적으로 사용된다. 따라서 이번 프로젝트에서는 MOSFET 다단증폭기를 이용하여 오디오 파워 앰프를 설계하고자 한다. 이를 위해 먼저 MOSFET의 동작 원리와 특성을 이해하고, 다단증폭기 설계 이론...2024.10.02
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트렌지스터 증폭2024.11.111. 트랜지스터의 특성 1.1. 트랜지스터의 3가지 영역 트랜지스터의 3가지 영역은 차단영역, 활성영역, 포화영역이다. 차단영역에서는 트랜지스터 베이스-이미터 전압(VBE)이 0.6V 이하로 작아 트랜지스터가 차단되어 전류가 흐르지 않는다. 따라서 콜렉터 전압(VCE)이 전원전압(VCC)에 가깝게 유지된다. 활성영역에서는 VBE가 약 0.6V 부근으로 증폭작용이 이루어진다. 이때 VCE는 일정한 범위 내에서 변한다. 포화영역에서는 VBE가 0.6V를 넘어 트랜지스터가 완전히 켜져 VCE가 거의 0V에 가깝게 된다. 이 영역에서 트...2024.11.11
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전자회로실험 증폭기의 주파수응답2025.05.121. 서론 1.1. 전자회로실험 증폭기의 주파수응답 실험의 필요성 전자회로실험 증폭기의 주파수응답 실험의 필요성이다. 전자회로실험을 통해 증폭기의 주파수 응답 특성을 이해하는 것이 중요하다. 증폭기는 주파수 범위에 따라 다양한 전압이득 특성을 나타내므로, 증폭기의 주파수 응답 특성을 파악하는 것은 증폭기 설계와 성능 평가를 위해 필수적이다. 특히 저주파, 중간주파, 고주파 영역에서 증폭기의 주파수 응답이 어떻게 달라지는지 이해할 필요가 있다. 저주파 영역에서는 결합 커패시터와 바이패스 커패시터의 영향이 크고, 중간주파수 영역에...2025.05.12