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일반물리학및실험2 휘트스톤 브리지 결과레포트2025.01.201. 휘트스톤 브리지 본 실험에서는 휘트스톤 브리지의 구조와 사용법을 익히고, 미지 저항체의 전기 저항을 측정하였습니다. 실험 결과, 고정 저항을 100Ω으로 하여 실험을 진행하였고, 다른 저항값을 1000Ω과 2000Ω으로 실험을 진행하였습니다. 오차 분석 결과, 회로 자체의 저항이 작지 않아 오차가 발생하였고, 높은 저항값으로 인해 전류가 약해져 약간의 오차가 발생하였습니다. 전류 밀도와 비저항의 단위는 각각 A/m^2와 Ω·m로 나타낼 수 있습니다. 2. 전기 저항 측정 본 실험에서는 휘트스톤 브리지를 이용하여 미지 저항체의 ...2025.01.20
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스트레인 게이지 실험 보고서 (A+)2025.01.241. 스트레인 게이지 스트레인 게이지는 힘이 가해지면 물체 표면에서 발생하는 길이 변화를 측정하고 이에 따른 전기 저항 변화를 통해 변형률과 응력을 측정하는 센서입니다. 스트레인 게이지는 Backing Material, Grid Material, Encapsulation Film으로 구성되어 있으며 저항 변화율이 변형률에 비례하는 원리로 작동합니다. 2. 휘트스톤 브리지 스트레인 게이지는 휘트스톤 브리지 방식을 사용하여 물리적 변형을 전기 신호로 변환합니다. 휘트스톤 브리지는 4개의 저항 암으로 구성되어 있으며, 2개의 병렬 전압 ...2025.01.24
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[한양대] 일반물리학및실험2 실험11 결과레포트2025.05.042025.05.04
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스트레인게이지 실습 결과보고서 (아주대 기계공학기초실험 실험6)2025.04.261. 스트레인게이지 스트레인게이지는 변형률을 측정하는 소자이다. 물체가 인장 또는 압축을 받을 때 원래의 길이에 대한 늘어나거나 줄어든 길이를 비율로 표시한 값이 변형률이다. 스트레인게이지는 금속의 길이에 따른 전기저항 변화를 이용하여 변형률을 측정한다. 스트레인게이지의 감도는 Gauge Factor(GF)로 나타낼 수 있다. 스트레인게이지를 이용하여 캔 용기 내부 압력을 측정할 수 있다. 2. 휘트스톤 브리지 스트레인게이지의 저항 변화율이 매우 작기 때문에 별도의 측정회로가 필요하다. 이때 사용하는 회로가 휘트스톤 브리지이다. 휘...2025.04.26
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충북대학교 일반 물리학 실험 키르히호프의 법칙 보고서2025.01.121. 키르히호프의 법칙 실험을 통해 키르히호프의 법칙을 적용하여 전류의 이론값과 측정값을 비교하였다. 또한 휘트스톤 브리지를 이용하여 미지의 저항을 정확하게 측정하였다. 실험 결과 오차율이 허용 범위 내에 있었으며, 오차 발생 원인을 분석하고 향후 실험에서 개선할 점을 고려하였다. 2. 저항 측정 멀티미터로 저항을 측정할 때 회로에 연결된 상태에서 측정하면 올바른 값을 얻지 못하는 경우가 많다. 이는 전류가 흐르는 상태에서 저항값을 측정하면 멀티미터와 외부 회로 전압이 중복되기 때문이다. 휘트스톤 브리지를 이용하여 미지의 저항을 측...2025.01.12
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[A+보고서] Floyd 회로이론실험결과레포트_ 13 휘트스톤 브리지2025.05.131. 휘트스톤 브리지 회로 휘트스톤 브리지 회로에 대한 테브낭 등가회로를 구하고, 테브낭 회로가 원래 회로와 비교해볼 때 부하에 대해 같은 결과를 갖는다는 것을 실험을 통해 증명하였습니다. 또한 휘트스톤 브리지를 평형 시키고 평형브리지에 대한 테브낭 회로를 구하였습니다. 2. 테브낭 등가회로 불평형 휘트스톤 브리지에서 테브낭 저항값과 테브낭 전압을 계산하고 측정하여 오차율을 확인하였습니다. 평형 휘트스톤 브리지에서는 미지의 저항값을 찾고 테브낭 등가회로를 구하였습니다. 1. 휘트스톤 브리지 회로 휘트스톤 브리지 회로는 저항 측정을 ...2025.05.13
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홍익대_대학물리실험2_휘트스톤브릿지_보고서A+2025.01.151. 옴의 법칙 전류의 세기(I)는 전압(V)에 비례하고, 저항(R)에 반비례한다. 이를 수식으로 표현하면 I = V/R이고 이를 변형하면 V = IR, R = V/I이다. 저항이 일정하면 이와 같은 관계 그래프가 성립한다. 2. 키르히호프의 법칙 키르히호프의 법칙은 회로에 흐르는 전류와 고리에 걸리는 전압에 대해 서술한 법칙이다. 제 1법칙(분기점 법칙)은 어느 회로에 있어서 분기점에 들어오는 전류는 나가는 전류와 같다. 제 2법칙(고리 법칙)은 닫힌 회로에서 각 소자를 지나갈 때 전위차의 합은 0이 된다. 3. 휘트스톤 브리지 ...2025.01.15
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[고려대학교 전기회로] 3~4단원 정리본2025.05.031. 직렬 연결 회로 직렬 연결 회로에서 모든 회로 요소들은 동일한 전류를 흐르게 한다. 직렬 저항기들의 등가 저항은 각 저항기의 저항값을 합한 것과 같다. 2. 병렬 연결 회로 병렬 연결 회로에서 모든 회로 요소들은 동일한 전압이 걸린다. 병렬 저항기들의 등가 저항은 각 저항기의 역수를 합한 것의 역수와 같다. 3. 전압 분배와 전류 분배 전압 분배 공식: Ui = (Ri/Req)U, 전류 분배 공식: Ii = (Req/Ri)I 4. 전압계와 전류계 측정 전압계는 측정하고자 하는 전압 요소와 병렬로 연결되고, 전류계는 측정하고자 ...2025.05.03
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[A+]floyd 회로이론 예비레포트_13 휘트스톤 브리지(LTspice 시뮬레이션)2025.05.131. 휘트스톤 브리지 휘트스톤 브리지는 미지 저항의 크기를, 그 값을 알고 있는 표준저항과 정확하게 비교할 수 있기 때문에 계측 응용에 주로 사용되는 회로이다. 미지 저항값은 주로 스트레인 게이지 같은 변화기를 나타내게 되는데 이것은 자극받으면 저항값이 아주 작게 변한다. 2. 테브낭 정리와 부하저항 테브낭 정리를 사용하여 브리지의 부하저항에 흐르는 전류를 구할 수 있다. 부하저항을 제거하고 전압 원을 단락시켜서 테브낭 저항을 구한다. 이때 전압 원이 단락되면서 저항들이 병렬 연결되는 것을 알 수 있다. 테브낭 전압은 부하가 없을 ...2025.05.13
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경북대학교 기초전기전자실험 스트레인게이지 실험보고서 [기계공학부]2025.05.091. 스트레인 게이지 스트레인 게이지는 저항으로 이루어진 센서로서 피 측정물에 부착되어 피측정물의 물리적인 변형률(Strain)을 휘트스톤 브리지 방식으로 전기적인 신호로 바꾸어 측정물의 변형량을 측정하는 저항 센서입니다. 스트레인 게이지의 구조, 원리, 종류 및 연결 방식에 대해 자세히 설명하고 있습니다. 2. 게이지율 게이지율(Gauge Factor)은 스트레인 게이지의 감도를 나타내는 지표로, 단위 변형당 저항의 변화율을 의미합니다. 게이지율이 클수록 감도가 높습니다. 게이지율은 재료의 포아송 효과와 변형에 의한 비저항 변화량...2025.05.09
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