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홍익대_대학물리실험2_휘트스톤브릿지_보고서A+2025.01.151. 옴의 법칙 전류의 세기(I)는 전압(V)에 비례하고, 저항(R)에 반비례한다. 이를 수식으로 표현하면 I = V/R이고 이를 변형하면 V = IR, R = V/I이다. 저항이 일정하면 이와 같은 관계 그래프가 성립한다. 2. 키르히호프의 법칙 키르히호프의 법칙은 회로에 흐르는 전류와 고리에 걸리는 전압에 대해 서술한 법칙이다. 제 1법칙(분기점 법칙)은 어느 회로에 있어서 분기점에 들어오는 전류는 나가는 전류와 같다. 제 2법칙(고리 법칙)은 닫힌 회로에서 각 소자를 지나갈 때 전위차의 합은 0이 된다. 3. 휘트스톤 브리지 ...2025.01.15
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[A+보고서] Floyd 회로이론실험결과레포트_ 13 휘트스톤 브리지2025.05.131. 휘트스톤 브리지 회로 휘트스톤 브리지 회로에 대한 테브낭 등가회로를 구하고, 테브낭 회로가 원래 회로와 비교해볼 때 부하에 대해 같은 결과를 갖는다는 것을 실험을 통해 증명하였습니다. 또한 휘트스톤 브리지를 평형 시키고 평형브리지에 대한 테브낭 회로를 구하였습니다. 2. 테브낭 등가회로 불평형 휘트스톤 브리지에서 테브낭 저항값과 테브낭 전압을 계산하고 측정하여 오차율을 확인하였습니다. 평형 휘트스톤 브리지에서는 미지의 저항값을 찾고 테브낭 등가회로를 구하였습니다. 1. 휘트스톤 브리지 회로 휘트스톤 브리지 회로는 저항 측정을 ...2025.05.13
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[한양대] 일반물리학및실험2 실험11 결과레포트2025.05.042025.05.04
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[고려대학교 전기회로] 3~4단원 정리본2025.05.031. 직렬 연결 회로 직렬 연결 회로에서 모든 회로 요소들은 동일한 전류를 흐르게 한다. 직렬 저항기들의 등가 저항은 각 저항기의 저항값을 합한 것과 같다. 2. 병렬 연결 회로 병렬 연결 회로에서 모든 회로 요소들은 동일한 전압이 걸린다. 병렬 저항기들의 등가 저항은 각 저항기의 역수를 합한 것의 역수와 같다. 3. 전압 분배와 전류 분배 전압 분배 공식: Ui = (Ri/Req)U, 전류 분배 공식: Ii = (Req/Ri)I 4. 전압계와 전류계 측정 전압계는 측정하고자 하는 전압 요소와 병렬로 연결되고, 전류계는 측정하고자 ...2025.05.03
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경북대학교 기초전기전자실험 스트레인게이지 실험보고서 [기계공학부]2025.05.091. 스트레인 게이지 스트레인 게이지는 저항으로 이루어진 센서로서 피 측정물에 부착되어 피측정물의 물리적인 변형률(Strain)을 휘트스톤 브리지 방식으로 전기적인 신호로 바꾸어 측정물의 변형량을 측정하는 저항 센서입니다. 스트레인 게이지의 구조, 원리, 종류 및 연결 방식에 대해 자세히 설명하고 있습니다. 2. 게이지율 게이지율(Gauge Factor)은 스트레인 게이지의 감도를 나타내는 지표로, 단위 변형당 저항의 변화율을 의미합니다. 게이지율이 클수록 감도가 높습니다. 게이지율은 재료의 포아송 효과와 변형에 의한 비저항 변화량...2025.05.09
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직,병렬 및 휘트스톤 브리지에 의한 저항 측정(정식보고서)2025.04.281. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전압, 전류, 저항 간의 선형의 비례 관계를 수학적으로 설명하는 것으로, 이는 V = IR 방정식으로 표현할 수 있다. 회로에는 저항을 병렬, 직렬 또는 이를 섞은 혼합하여 연결할 수 있으며, 직렬연결과 병렬연결 시 등가저항은 각각 Rt = R1 + R2 + ... 와 1/Rp = 1/R1 + 1/R2 + ... 로 계산할 수 있다. 2. 키르히호프 법칙 키르히호프 법칙은 복잡한 회로를 분석하는 경우 이를 단순화시키기 위해 사용되는데, 제 1법칙(분기점 법칙)은 모든 분기점에서 들어오고 나가는 전류의 합...2025.04.28
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일반물리학및실험2 휘트스톤 브리지 결과레포트2025.01.201. 휘트스톤 브리지 본 실험에서는 휘트스톤 브리지의 구조와 사용법을 익히고, 미지 저항체의 전기 저항을 측정하였습니다. 실험 결과, 고정 저항을 100Ω으로 하여 실험을 진행하였고, 다른 저항값을 1000Ω과 2000Ω으로 실험을 진행하였습니다. 오차 분석 결과, 회로 자체의 저항이 작지 않아 오차가 발생하였고, 높은 저항값으로 인해 전류가 약해져 약간의 오차가 발생하였습니다. 전류 밀도와 비저항의 단위는 각각 A/m^2와 Ω·m로 나타낼 수 있습니다. 2. 전기 저항 측정 본 실험에서는 휘트스톤 브리지를 이용하여 미지 저항체의 ...2025.01.20
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기초 전기전자 실험 결과보고서2025.01.121. 휘트스톤 브리지 휘트스톤 브리지를 통해 브리지의 원리를 이해하고 저항 측정법을 익혔습니다. 회로가 평형 상태일 때 a-b 단자 사이의 전류가 흐르지 않으며, 불평형 상태일 때 전류가 흐르는 것을 확인했습니다. 테브낭 등가회로를 이용해 a-b 사이의 전류를 계산하여 실험 결과와 일치함을 확인했습니다. 2. 오실로스코프 사용법 오실로스코프의 기본 구조와 동작 원리를 이해하고, 정현파와 구형파의 주기, 주파수, 진폭 등을 측정하는 방법을 익혔습니다. 또한 리사주 파형을 이용해 두 신호 간의 위상차를 계산하는 방법을 배웠습니다. 오실...2025.01.12
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휘트스톤 브리지 결과 보고서2024.12.311. 휘트스톤 브리지 휘트스톤 브리지는 전자전기공학 분야에서 널리 사용되는 정밀 측정 회로입니다. 이 실험에서는 휘트스톤 브리지를 구성하여 미지의 저항값을 측정하고 계산하는 방법을 실습하였습니다. 실험 결과, 측정값과 이론값 사이에 약간의 오차가 있었지만 거의 근사한 것을 확인할 수 있었습니다. 오차의 원인으로는 가변저항 조절 시 전압 미세 조정 실패, 주변 온도 변화, 저항 자체의 내부 오차 등이 고려되었습니다. 향후 실험 정확도를 높이기 위해서는 전압 조정 및 온도 유지 등의 개선이 필요할 것으로 보입니다. 1. 휘트스톤 브리지...2024.12.31
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스트레인 게이지 실험 보고서 (A+)2025.01.241. 스트레인 게이지 스트레인 게이지는 힘이 가해지면 물체 표면에서 발생하는 길이 변화를 측정하고 이에 따른 전기 저항 변화를 통해 변형률과 응력을 측정하는 센서입니다. 스트레인 게이지는 Backing Material, Grid Material, Encapsulation Film으로 구성되어 있으며 저항 변화율이 변형률에 비례하는 원리로 작동합니다. 2. 휘트스톤 브리지 스트레인 게이지는 휘트스톤 브리지 방식을 사용하여 물리적 변형을 전기 신호로 변환합니다. 휘트스톤 브리지는 4개의 저항 암으로 구성되어 있으며, 2개의 병렬 전압 ...2025.01.24
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