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충북대 일반물리학및실험2 A 키르히호프법칙2025.01.031. 키르히호프의 법칙 실험 6. 키르히호프의 법칙을 통해 실험값, 이론값, 오차율 등을 확인하였습니다. 실험 결과 측정값과 이론값 사이의 오차율이 허용 범위를 벗어났는데, 이는 멀티미터를 이용하여 가변저항의 저항값을 측정할 때 프로브 연결 위치에 따라 값이 달라지는 문제와 전원 공급장치의 오류로 인한 것으로 추정됩니다. 실험을 진행할 때는 가변저항의 프로브 연결 위치와 회로를 구성하는 부품들의 불량 여부를 주의깊게 확인해야 합니다. 1. 키르히호프의 법칙 키르히호프의 법칙은 전기 회로 이해에 있어 매우 중요한 기본 원리입니다. 이...2025.01.03
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서울과학기술대학교 일반물리학실험(2)_휘트스톤브릿지에 의한 미지저항 측정 실험2025.01.161. 휘트스톤 브리지 이번 실험은 영점법을 사용하는 휘트스톤 브리지 장치를 통해 미지저항의 값을 찾는 실험이었다. 영점법은 휘트스톤 브리지의 저항 R1과 R2를 적당히 조절하여 검류계에 전류가 흐르지 않는 평형조건을 찾는 것을 말하고, 검류계의 지침이 0이 되는 것은 곧 R1과 R2 사이에 전류가 흐르지 않는다는 것을 의미한다. 2. 미지저항 측정 습동선형 휘트스톤 브리지에서 단위 길이당 저항은 일정하고 각 선분의 저항 R은 그 길이에 비례하므로 R1과 R2의 값을 측정하여 미지저항 Rx의 값을 구하는 과정을 진행하였다. 그러나 오...2025.01.16
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홍익대_대학물리실험2_휘트스톤브릿지_보고서A+2025.01.151. 옴의 법칙 전류의 세기(I)는 전압(V)에 비례하고, 저항(R)에 반비례한다. 이를 수식으로 표현하면 I = V/R이고 이를 변형하면 V = IR, R = V/I이다. 저항이 일정하면 이와 같은 관계 그래프가 성립한다. 2. 키르히호프의 법칙 키르히호프의 법칙은 회로에 흐르는 전류와 고리에 걸리는 전압에 대해 서술한 법칙이다. 제 1법칙(분기점 법칙)은 어느 회로에 있어서 분기점에 들어오는 전류는 나가는 전류와 같다. 제 2법칙(고리 법칙)은 닫힌 회로에서 각 소자를 지나갈 때 전위차의 합은 0이 된다. 3. 휘트스톤 브리지 ...2025.01.15
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일반물리학및실험2 휘트스톤 브리지 결과레포트2025.01.201. 휘트스톤 브리지 본 실험에서는 휘트스톤 브리지의 구조와 사용법을 익히고, 미지 저항체의 전기 저항을 측정하였습니다. 실험 결과, 고정 저항을 100Ω으로 하여 실험을 진행하였고, 다른 저항값을 1000Ω과 2000Ω으로 실험을 진행하였습니다. 오차 분석 결과, 회로 자체의 저항이 작지 않아 오차가 발생하였고, 높은 저항값으로 인해 전류가 약해져 약간의 오차가 발생하였습니다. 전류 밀도와 비저항의 단위는 각각 A/m^2와 Ω·m로 나타낼 수 있습니다. 2. 전기 저항 측정 본 실험에서는 휘트스톤 브리지를 이용하여 미지 저항체의 ...2025.01.20
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비저항 & 휘트스톤브릿지 - 일반물리실험II A+레포트2025.01.291. 비저항 측정 실험 실험 1에서는 다양한 종류의 철사를 이용해 전압과 전류를 측정하여 저항값을 구하고, 비저항을 구하기 위해 그래프를 그렸다. 실험 결과 분석에 따르면 철사의 길이가 길어질수록 저항값이 커지는 것을 확인할 수 있었지만, 측정 장치의 문제로 인해 오차율이 크게 나타났다. 이를 해결하기 위해서는 새로운 측정 장치를 사용하여 추가 실험을 진행해야 할 것으로 보인다. 2. 휘트스톤 브리지 실험 실험 2에서는 휘트스톤 브리지를 이용하여 미지의 저항값을 측정하였다. 실험 결과 분석에 따르면 R2/R1의 비율을 높게 잡을수록...2025.01.29
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기초전기실험 예비, 결과 레포트 2주차 ~ 7주차, 9주차 ~ 14주차2025.01.271. 키르히호프의 법칙 키르히호프의 전류법칙과 전압법칙을 이해하고, 이를 실험적으로 증명한다. 실험 결과 분석을 통해 키르히호프의 법칙이 성립함을 확인하였다. 이론값과 측정값이 거의 일치하여 실험이 올바르게 진행되었음을 알 수 있었다. 2. 중첩의 원리 중첩의 원리를 이해하고 이를 실험적으로 증명한다. 실험 결과 분석을 통해 중첩의 원리가 성립함을 확인하였다. 단락된 전압원과 개방된 전류원을 이용하여 회로를 해석하는 방법을 익혔다. 3. 테브낭 정리 테브낭 정리를 이해하고 이의 응용능력을 키운다. 실험 결과 분석을 통해 테브낭 정리...2025.01.27
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스트레인 게이지 실험 보고서 (A+)2025.01.241. 스트레인 게이지 스트레인 게이지는 힘이 가해지면 물체 표면에서 발생하는 길이 변화를 측정하고 이에 따른 전기 저항 변화를 통해 변형률과 응력을 측정하는 센서입니다. 스트레인 게이지는 Backing Material, Grid Material, Encapsulation Film으로 구성되어 있으며 저항 변화율이 변형률에 비례하는 원리로 작동합니다. 2. 휘트스톤 브리지 스트레인 게이지는 휘트스톤 브리지 방식을 사용하여 물리적 변형을 전기 신호로 변환합니다. 휘트스톤 브리지는 4개의 저항 암으로 구성되어 있으며, 2개의 병렬 전압 ...2025.01.24
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일반물리학및실험 5. 키르히호프 법칙 결과 보고서2025.01.161. 멀티미터를 이용한 저항 측정 멀티미터로 저항을 측정할 때, 저항체를 회로에 연결한 상태에서 저항값을 측정하면 올바른 값을 측정하지 못하는 경우가 많다. 그 이유는 도선의 저항에 의해 저항값이 달라지기 때문이다. 따라서 회로에서 저항을 분리하여 측정해야 한다. 도선이 구리로 되어있는 경우 구리 자체에 저항이 존재하기 때문에 실제 구하고자 하는 저항의 정확한 값을 구할 수 없다. 만약 도선이 백금으로 만들어져 있다면 저항이 구리보다 작기 때문에 오차가 많이 생기지 않아 무시해도 될 것이다. 2. 키르히호프 법칙 확인 예제문제를 통...2025.01.16
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휘트스톤 브리지 결과 보고서2024.12.311. 휘트스톤 브리지 휘트스톤 브리지는 전자전기공학 분야에서 널리 사용되는 정밀 측정 회로입니다. 이 실험에서는 휘트스톤 브리지를 구성하여 미지의 저항값을 측정하고 계산하는 방법을 실습하였습니다. 실험 결과, 측정값과 이론값 사이에 약간의 오차가 있었지만 거의 근사한 것을 확인할 수 있었습니다. 오차의 원인으로는 가변저항 조절 시 전압 미세 조정 실패, 주변 온도 변화, 저항 자체의 내부 오차 등이 고려되었습니다. 향후 실험 정확도를 높이기 위해서는 전압 조정 및 온도 유지 등의 개선이 필요할 것으로 보입니다. 1. 휘트스톤 브리지...2024.12.31
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기초 전기전자 실험 결과보고서2025.01.121. 휘트스톤 브리지 휘트스톤 브리지를 통해 브리지의 원리를 이해하고 저항 측정법을 익혔습니다. 회로가 평형 상태일 때 a-b 단자 사이의 전류가 흐르지 않으며, 불평형 상태일 때 전류가 흐르는 것을 확인했습니다. 테브낭 등가회로를 이용해 a-b 사이의 전류를 계산하여 실험 결과와 일치함을 확인했습니다. 2. 오실로스코프 사용법 오실로스코프의 기본 구조와 동작 원리를 이해하고, 정현파와 구형파의 주기, 주파수, 진폭 등을 측정하는 방법을 익혔습니다. 또한 리사주 파형을 이용해 두 신호 간의 위상차를 계산하는 방법을 배웠습니다. 오실...2025.01.12
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