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Semiconductor Device and Design - 22025.05.101. Si and Ge characteristics 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)은 반도체 재료로 사용되는데, 실리콘은 밴드갭이 1.12eV로 게르마늄의 0.66eV보다 크고 최대 작동 온도가 150°C로 게르마늄의 100°C보다 높습니다. 또한 실리콘은 게르마늄보다 제조가 용이하고 가격이 10배 정도 저렴하여 집적회로(IC)의 주요 재료로 선택되었습니다. 2. Etching process principle and characteristic 습식 식각은 화학 용액을 사용하는 방식이고, 건식 식각은 플라즈마 가스를 사용하는 방식입니...2025.05.10
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반도체 8대 공정(전공정, 후공정)의 이해2025.01.021. 반도체 제조 공정 반도체 제조 과정은 약 700~800개의 단위 공정을 거치며, 주요 공정으로 노광, 증착, 식각, 세정, 공정제어, 패키징 등 8대 공정이 있다. 노광 공정에서는 감광제를 이용해 회로를 그리고, 증착 공정에서는 박막을 쌓아 올리며, 식각 공정에서는 불필요한 부분을 제거한다. 세정 공정은 오염물을 제거하고, 공정제어는 공정 변수를 조절하여 원하는 상태를 유지한다. 마지막으로 패키징 공정에서는 반도체 칩을 보호하고 전기적 특성을 검사한다. 2. 반도체 장비 및 소재 반도체 제조에는 다양한 장비와 소재가 사용된다....2025.01.02
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반도체 하드마스크 SOH 레포트2025.05.021. SOH (Spin-on Hardmasks) SOH는 패터닝 공정에서 반도체 미세 패턴 구현을 위한 보조재료입니다. gap을 채우고 평탄화를 강화하여 내에칭성을 강화해야하는 특성을 요구합니다. SOH는 반도체 회로 패턴 형성 시 기존의 CVD 방식이 아닌 spin coating 방식으로 막을 형성하는 미세 패턴 형성 재료로, 미세 선폭의 패턴 정확도를 구현합니다. 2. PR MASK와 HARD MASK 비교 미세패턴을 구현하려면 PR MASK의 폭이 점점 줄어들어야 합니다. PR MASK의 가로에 대한 세로의 비율이 특정 값보다...2025.05.02