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A+받은 접합다이오드 예비레포트2025.05.101. 반도체 반도체는 비저항값이 도체와 절연체의 중간값을 갖는 전자 재료를 뜻한다. 이러한 반도체는 외부 환경 조건에 덜 민감하고 견고하며, 전력 소비가 작고, 발열이 적은 장점이 있다. 대부분의 반도체는 밴드갭이 게르마늄(Ge)보다 비교적 커 열에 의한 변화에 덜 민감한 실리콘(Si)으로 만들어지고 있다. 고순도의 실리콘으로 만들어진 반도체는 비저항이 크므로, 불순물(impurity)를 첨가함으로써 비저항을 낮춰 전기 전도를 높인다. 이렇게 불순물의 종류와 양을 제어해서 반도체에 첨가하는 것을 도핑(doping)이라 하며, 이러한...2025.05.10
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A+받은 제너다이오드 예비레포트2025.05.101. 제너 다이오드 제너 다이오드는 순방향 바이어스에서는 일반적인 다이오드와 동일한 동작 특성을 갖지만, 역방향 항복전압을 제조 공정에서 조절하여 일정한 값으로 만든 다이오드입니다. 제너 다이오드는 제너 항복과 눈사태 항복에 의해 역방향 항복전압이 형성되며, 이를 이용하여 전압 레귤레이터 또는 표준전압 발생기로 사용됩니다. 실험을 통해 제너 다이오드의 순방향 및 역방향 특성, 전원전압 변화에 따른 특성, 부하저항 변화에 따른 특성 등을 확인하였습니다. 1. 제너 다이오드 제너 다이오드는 전자 회로에서 중요한 역할을 하는 반도체 소자...2025.05.10
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PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 실험 결과2025.01.021. PN 접합 다이오드 PN 접합 다이오드는 반도체 소자의 기본 구조로, 순방향 바이어스와 역방향 바이어스에 따라 다른 동작 특성을 보인다. 실험 결과에서는 순방향 바이어스 시 전압이 증가함에 따라 전류가 지수적으로 증가하는 특성을 확인할 수 있었다. 역방향 바이어스 시에는 전압이 증가함에 따라 전류가 미미하게 증가하다가 일정 전압에서 급격히 증가하는 항복 현상이 관찰되었다. 이러한 PN 접합 다이오드의 특성은 정류기, 스위칭 회로 등 다양한 전자 회로에 활용된다. 2. 제너 다이오드 제너 다이오드는 역방향 바이어스 시 일정 전압...2025.01.02
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[보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH1. PN접합다이오드 실험보고서2025.05.051. P형 반도체 P형 반도체는 반도체 소자의 주재료인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)에 3가 원소인 인듐(In), 갈륨(Ga)과 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합 구조를 변화시켜 정공 수를 늘리고 반도체의 도전율을 증가시킨 반도체이다. P형 반도체에서 다수 캐리어는 정공이고, 소수 캐리어는 자유전자이다. 2. N형 반도체 N형 반도체는 순수 반도체에 5가 원소인 안티몬(Sb), 비소(As)와 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합 구조를 변화시켜 자유전자 수를 늘리고 반도체의 도전율을 증가시킨 반도체이...2025.05.05
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A+ / 전자공학실험 레포트/ pn접합 다이오드2025.05.131. 다이오드 다이오드는 극성 소자로서 양단에 걸리는 전압에 따라 전류 특성이 변하는 비선형 소자이다. 다이오드의 기호는 그림1-1과 같이 나타낼 수 있다. 이상적인 다이오드의 경우 그림 1-3과 같이 두 가지 동작 영역으로 나뉘며, 순방향 바이어스의 경우 저항이 0, 역방향 바이어스의 경우 저항이 무한대이다. 하지만 실제 PN접합 다이오드는 그림 1-4와 같은 전류-전압 특성을 지닌다. 2. 순방향 바이어스 다이오드의 음극보다 양극의 전압이 높으면 순방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고, 양단 사이의 전압 강하는 없으며 양극에서...2025.05.13
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험2_결과보고서_다이오드특성실험(누설전류,turn-off과도응답,trr측정)2025.05.101. 실리콘 다이오드의 순방향 바이어스 특성 실리콘 다이오드의 V-I 특성곡선을 통해 장벽전위와 항복전압을 확인하였다. 측정값에서 0.1V단위로 전류증가량을 계산했을 때 0.7V에서 0.8V로 넘어갈 때부터 전류증가량이 선형으로 증가함을 확인했다. 0.01V단위로 측정해본결과 약 0.66V가 좀 더 정확한 장벽전위임을 확인했다. 오차의 원인으로는 전류계의 내부저항, 온도 차이 등이 있었다. 2. 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스 특성 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스 인가 시 누설전류를 측정하였다. PSpice를 이용한 모의실험 결...2025.05.10
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전자회로실험 실험 2 - 다이오드 특성 결과 보고서 (보고서 점수 만점)2025.01.141. 실리콘 다이오드 특성 실험 결과, 실리콘 다이오드의 순방향 바이어스에서는 약 0.58V의 전압이 측정되었고, 역방향 바이어스에서는 OL 표시가 나타났다. 이는 이론적인 값과 유사한 결과이다. 또한 순방향 바이어스에서는 낮은 저항값을, 역방향 바이어스에서는 매우 높은 저항값을 나타내어 이론과 일치하는 결과를 보였다. 순방향 바이어스의 특성곡선은 0.7V 부근에서 수직에 가까운 모습을 보였는데, 이는 다이오드 내부 저항과 회로 내부 저항 등의 변수로 인한 오차로 볼 수 있다. 2. 다이오드 역방향 바이어스 특성 실험 결과, 실리콘...2025.01.14