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전기회로설계실습 실습7 예비보고서2025.01.201. DMM의 내부저항 측정 DMM의 내부저항을 측정하는 방법은 DMM을 저항 측정 모드로 하여 R의 값을 측정하고, DMM을 전압 측정 모드로 바꾼 후 DMM에서 측정된 전압을 통해 Rd를 구하는 것이다. 이는 voltage division 원리를 이용하여 계산할 수 있다. 2. RC time constant 측정 DMM의 내부저항과 2.2μF의 커패시터를 이용하여 RC time constant를 측정하는 방법은 왼쪽 회로를 사용하는 것이다. 먼저 왼쪽 스위치를 닫아 커패시터를 충전시킨 후, 왼쪽 스위치를 열고 오른쪽 스위치를 닫...2025.01.20
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중앙대학교 전기회로설계실습 설계실습 7. RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계2025.05.151. DMM의 내부저항 측정 DMM의 내부저항을 측정하여 10.05의 값을 얻었다. DMM으로 큰 저항의 전압을 측정하는 것에 유의해야 함을 알 수 있었다. 2. RC회로의 시정수 측정 타이머를 이용하여 RC회로의 시정수를 측정하였는데 오차가 -5.68%이었다. DMM의 응답속도와 사람의 반응속도 때문에 큰 오차가 발생하였다. 이후 오실로스코프를 이용하여 시정수를 측정하였고 이론값과 정확히 일치하였다. 3. 오실로스코프 사용법 Function generator(+), 저항, 커패시터, Function generator(접지)의 순서...2025.05.15
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중앙대 전기회로설계실습 예비보고서7 (보고서 1등)2025.05.101. DMM의 내부저항 측정 DMM의 내부저항을 측정하는 방법은 다음과 같다. 1) DMM을 직류전압 측정모드(DCV)로 설정한다. 2) 매우 큰 저항(20MΩ)을 DMM과 연결한다. 3) DMM에 표시된 값을 기록한다. 4) DMM의 내부저항이 10MΩ정도이므로 매우 큰 저항이 연결될 경우 DMM의 저항이 연결된 저항의 전압에 영향을 주어 Voltage Divider 현상이 발생한다. 이를 통해 DMM의 내부저항을 계산할 수 있다. 2. RC time constant 측정 RC time constant를 측정하는 방법은 다음과 같...2025.05.10
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전기회로설계실습 실습8 예비보고서2025.01.201. RL 회로 설계 주어진 시정수를 갖는 RL 회로를 설계하고 측정하는 방법을 설계하였습니다. 시정수가 10μs인 RL 직렬회로를 설계하였고, 이를 위해 저항 값을 계산하였습니다. 또한 Function Generator의 출력을 사각파로 하여 시정수를 측정하고, 저항 전압과 인덕터 전압의 예상 파형을 그래프로 제시하였습니다. 2. RL 회로 측정 RL 회로의 Function Generator 출력(CH1)과 인덕터 전압(CH2)을 동시에 관측할 수 있도록 회로와 오실로스코프를 연결하는 방법을 제시하였습니다. 또한 Function ...2025.01.20
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[중앙대전전][전기회로설계실습][예비보고서]-8.인덕터 및 RL회로의 과도응답(Transient Response)2025.05.151. RL 회로의 과도응답 이 실습에서는 주어진 시정수를 갖는 RL 회로를 설계하고 이를 측정하는 방법을 설계합니다. 시정수 τ가 10 μs인 RL 직렬회로를 설계하고, 함수발생기의 사각파 입력에 대한 저항 전압과 인덕터 전압의 예상 파형을 그래프로 그립니다. 또한 오실로스코프의 설정 방법과 회로 연결 상태를 제시합니다. 마지막으로 RL 회로에 사각파를 인가했을 때 예상되는 저항과 인덕터의 전압 파형을 설명합니다. 1. RL 회로의 과도응답 RL 회로의 과도응답은 전기 회로 이론에서 중요한 개념입니다. RL 회로는 저항(R)과 인덕...2025.05.15
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중앙대 전기회로설계실습 결과보고서72025.01.171. RC 회로의 시정수 측정 이 보고서는 전기회로 설계실습의 일환으로 RC 회로의 시정수를 측정하는 방법을 설계하고 실험한 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 DMM의 내부 저항 측정, RC 시정수 측정, RC 회로의 충전 및 방전 특성 관찰 등이 포함되어 있습니다. 실험 과정에서 발생한 오차 원인을 분석하고 개선 방안을 제시하고 있습니다. 1. RC 회로의 시정수 측정 RC 회로의 시정수 측정은 전자공학 분야에서 매우 중요한 개념입니다. 시정수는 RC 회로의 과도 응답 특성을 결정하는 핵심 요소로, 회로의 동작 특성을 이해...2025.01.17
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일반물리학 실험 2 - IOLab장치를 사용한 축전기의 충전과 방전2025.01.221. 축전기의 충전과 방전 실험을 통해 축전기의 충전과 방전 과정을 관찰하고 이론적 계산과 비교하였다. 시간에 따른 전류와 전압의 변화 양상을 그래프로 나타내고 시정수의 의미를 확인할 수 있었다. 충전과 방전이 시작된 직후의 변화율이 가장 크고 시간이 지남에 따라 변화율이 줄어드는 지수함수적 형태를 보였다. 키르히호프 제2법칙을 적용하여 구한 미분방정식의 해와 실험 결과가 일치함을 확인하였다. 1. 축전기의 충전과 방전 축전기의 충전과 방전은 전기 회로에서 매우 중요한 역할을 합니다. 축전기는 전기 에너지를 저장하고 필요할 때 방전...2025.01.22
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A+받은 다이오드 클램퍼 결과레포트2025.05.101. 다이오드 클램퍼 실험을 통해 다이오드 및 커패시터를 이용한 클램퍼 회로를 구성하고, 출력 파형을 관찰하였다. 양의 클램퍼 회로에서 저항값을 변화시키며 출력 파형을 관찰하였고, 시정수가 작은 경우 커패시터가 일정한 직류 전압값에 수렴하지 않고 정현파의 형태를 나타내는 것을 확인하였다. 저항값이 증가하면서 시정수가 커짐에 따라 출력 파형이 입력 전압을 기준으로 양의 반주기에서 약 1V의 DC 성분이 더해진 형태로 나타나며, 음의 반주기에서 다이오드의 도통 전압에 수렴하는 것을 확인하였다. 음의 클램퍼 회로에서는 저항값이 큰 경우에...2025.05.10
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전기회로설계실습 예비보고서82025.05.151. RL 회로의 과도응답(Transient Response) 이 실습의 목적은 주어진 시정수를 갖는 RL 회로를 설계하고 이를 측정하는 방법을 설계하는 것입니다. 실험에 필요한 기본 장비와 부품이 제시되어 있으며, 3.0에서 time constant가 10 μs인 RL 직렬회로를 설계하는 방법이 설명되어 있습니다. 3.1에서는 회로의 저항 값을 계산하고, 사각파 주파수를 결정하며, 저항과 인덕터의 예상 전압 파형을 그래프로 제시하고 있습니다. 3.2에서는 오실로스코프 설정에 대해 설명하고 있으며, 3.3과 3.4에서는 저항 전압 ...2025.05.15
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일반물리학실험2 축전기의 충전과 방전2025.01.111. 축전기 충전 과정 축전기, 저항, DC Power Supply가 직렬 연결로 구성된 회로에서 축전기가 완전 방전된 상태에서 회로가 개방되어 있으면 전류가 흐르지 않는다. 회로를 폐쇄하면 DC Power Supply에 의해 전류가 회로에 흐르기 시작하여 축전기의 충전이 진행된다. 시간 t와 축전기에 충전된 전하 q, 회로에 흐르는 전류 I의 관계는 특정 수식으로 표현된다. 축전기의 양단의 전위차는 이 수식으로 계산되며, 전하가 충분히 충전되어 전류가 더 이상 흐르지 않게 되는 시점은 (DC Power Supply 입력 전압)인 ...2025.01.11
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