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전자회로실험_A+레포트_Diode Rectifier2025.01.131. 반파정류회로 반파정류회로는 다이오드와 저항을 직렬 연결한 회로에 교류전원을 연결한 회로이다. 다이오드가 있을 경우에는 양의 주기에서는 순방향 바이어스가 되고 음의 주기에서는 역방향 바이어스가 된다. 이러한 이유로 입력전원의 양의 값을 정류해서 직류로 변환시킨다. 2. 전파정류회로 전파정류회로는 중간탭이 있는 변압기를 이용하여 180° 위상차가 나는 두 교류신호를 생성한다. 다이오드의 정류 작용으로 (+), (-) 파형 모두 통과하여 한쪽 방향으로 흐르도록 구성한 회로이다. 변압기를 사용한 이유는 실험실 220V의 전원을 적절한...2025.01.13
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[A+보장]한양대에리카A+맞은 레포트,회로이론응용및실험,Capacitor 및 Inductor의 특성2025.01.151. Capacitor 커패시터는 내부에 있는 전기장에 에너지를 축적하는 전자부품이다. 서로 평행하게 보고 있는 두 개의 전극 판 사이에 생기는 공간에 유전체가 들어있고 전하를 저장하기도 하는 부품이다. 커패시터는 재질과 구조에 따라서 다양한 종류를 가지고 있으며, 실험에 따라서 특성을 잘 사용할 수 있도록 적절하게 종류를 선택해서 사용하는 것이 중요하다. 커패시터는 크게 극성의 유무로 인해서 분류할 수 있으며, 극성이 있는 커패시터는 전해 커패시터와 탄탈 커패시터가 있고, 극성이 없는 커패시터는 필름 커패시터, 세라믹 커패시터, ...2025.01.15
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기초회로실험 1주차 결과 보고서 - R,L,C소자의 이해2025.01.041. 저항 실험을 통해 1kΩ와 10kΩ 저항의 저항값을 멀티미터로 측정하였다. 측정값은 오차 허용 범위 내에 있었으며, 색띠에 적힌 오차와 비교하였다. 이를 통해 저항의 물리적 특성과 측정 방법을 이해할 수 있었다. 2. 커패시터 0.047μF와 0.47μF 커패시터의 용량을 LCR미터로 측정하였다. 측정값은 오차 허용 범위 내에 있었으며, 세자리 숫자 표기 방법과 비교하였다. 이를 통해 커패시터의 물리적 특성과 측정 방법을 이해할 수 있었다. 3. 인덕터 1mH와 10mH 인덕터의 인덕턴스 값을 LCR미터로 측정하였다. 1mH ...2025.01.04
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RLC 직렬회로 결과보고서2025.01.121. RLC 직렬회로 이번 실험은 RLC 직렬회로를 이용하여 공진주파수를 측정해보고, 차단주파수, 대역폭, 양호도 등을 측정해보는 실험이었습니다. 주파수를 바꾸어가며 전압이 최대가 되는 지점을 찾고 공진주파수를 측정하였습니다. 공진주파수란 임피던스 Z가 최소가 되며 전류 I가 최대로 증가하는 지점을 의미합니다. 커패시터와 인덕터의 리액턴스 특성으로 인해 어느 한 지점에서 교차하게 되며, 이때 공진주파수가 발생합니다. 또한 공진주파수일 때 파형은 동상형태의 파형이 나오며, 공진주파수보다 낮으면 출력파형이 앞서고 공진주파수보다 크면 출...2025.01.12
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건국대학교 전자회로1 SPICE12025.01.291. 전자회로1 SPICE 과제 이 프레젠테이션은 전자회로1 SPICE 과제에 대한 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 입력 신호(Vin)와 출력 신호(Vdc)의 파형, 커패시터(C)의 값을 찾는 절차, 그리고 리플 전압(Vpp)을 줄이기 위한 인덕터(L)의 값 계산 과정입니다. 초기에는 10uF의 커패시터를 사용했지만, 원하는 리플 전압 0.07V와 차이가 크게 나서 근사 계산을 통해 약 85.5uF의 인덕터 값을 찾아내었고, 이를 통해 목표 리플 전압에 근접한 결과를 얻을 수 있었습니다. 1. 전자회로1 SPICE 과제 전자회...2025.01.29
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숭실대학교 신소재골학실험2 Deposition 공정 및 소자 제작 평가 결과보고서2025.01.211. MIS 및 MIM 커패시터 소자 이번 실험에서는 MIS(Metal-Insulator-Semiconductor) 구조와 MIM(Metal-Insulator-Metal) 구조의 커패시터 소자에 대해 이해하고, Evaporator와 Shadow mask를 활용하여 상부 전극을 증착하고 Probe station을 통해 전기적 특성을 평가하였습니다. MIS 구조에서는 p-Si 박막이, MIM 구조에서는 p++-Si 박막이 사용되었습니다. MIM 구조의 경우 절연체 역할을 하는 insulator로 인해 전하를 축적하고 유지하는 능력이 있...2025.01.21
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전기회로설계실습 실습12 예비보고서2025.01.201. 저항의 고주파 특성 측정 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로를 설계하고 실험을 통하여 등가회로를 이해하며 이들 소자들이 넓은 주파수영역에서 어떻게 동작하는지 실험적으로 이해한다. 위 3개의 회로에 각각 사인파를 입력하고, 주파수를 증가시키며 저항의 값을 확인한다. 그러면 3개의 회로 모두 저항의 값이 감소하는 모습으로 돌아서는 지점이 있다. 커패시터의 경우 저항의 값이 감소하는 구간에서 인덕터와 같이 행동하며, 반대로 인덕터의 경우 저항의 값이 감소하는 구간에서 커패시터와 같이 행동한다. 이것이 고주파 특성...2025.01.20
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전기회로설계실습 12장 예비보고서2025.01.201. 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성 측정 이 실험의 목적은 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하고 이들 소자들이 넓은 주파수 영역에서 어떻게 동작하는지 실험적으로 이해하는 것입니다. 실험에 필요한 기본 장비와 부품들이 제시되어 있으며, 실험 계획서에는 다음과 같은 내용이 포함되어 있습니다: 1. 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하는 회로 설계 2. R=10 kΩ, C=0.1 μF가 직렬로 연결된 회로의 주파수 응답 분석 3. R=10 kΩ, C=0.1 μF 직렬 회로에서 커패시터가 인덕터로 작동하는...2025.01.20
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클리핑과 클램핑회로 결과 레포트2025.01.281. 클리핑 회로 클리핑 회로는 인가된 교류 신호의 일부를 자르는 회로로, 저항과 다이오드의 조합으로 구성됩니다. 입력 신호가 구형파인 경우 쉽게 해석할 수 있지만, 정현파나 삼각파인 경우 입력 신호가 계속 변하므로 기본적으로 어떤 순간의 값과 직류 전원 전압의 관계에 따라 출력을 결정합니다. 2. 클램핑 회로 클램핑 회로는 입력 파형의 첨두값을 바꾸지 않고 특정 직류 전압 값만큼 이동시키는 회로입니다. 회로에 다이오드, 저항, 커패시터가 포함되어 있으며, 이동할 직류 전압 값을 조정하기 위해 별도의 직류 전원이 필요합니다. 커패시...2025.01.28
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중앙대학교 전기회로설계실습 8. 인덕터 및 RL회로의 과도응답(Transient Response)(예비) A+2025.01.271. RL 회로의 과도응답 RL 회로에서 time constant가 10 ㎲인 경우, 인덕터 10mH와 저항 1kΩ을 사용하여 회로를 구성할 수 있다. 함수발생기를 이용하여 1V의 사각파를 인가하고, 오실로스코프로 전압파형을 관측할 수 있다. 저항전압과 인덕터전압의 예상파형을 그래프로 나타내었다. 또한 회로와 오실로스코프의 연결 상태, Volts/DIV와 Time/DIV 설정 등을 제시하였다. 2. RC 회로의 과도응답 RL 회로와 유사하게, RC 회로에 1V의 사각파를 인가하면 저항전압과 커패시터전압의 과도응답 파형을 예상할 수 ...2025.01.27
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