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일반 물리 실험 탄환의 속도 측정 실험 결과 보고서 [중앙대] A+2025.04.301. 탄환의 발사 속도 측정 이 실험에서는 탄환과 탄동진자가 충돌하는 과정에서 탄환의 발사속도와 수평면과 나란하게 투사된 탄환의 수평도달거리를 이용하여 탄환의 발사 속도를 구하였고, 이 과정에서 적용한 선운동량 보존법칙과 역학적 에너지 보존법칙을 이해해보았다. 탄동진자를 이용한 탄환의 속도 측정 실험에서는 탄환의 발사강도를 1 단, 2 단으로 설정하여 진행했다. 2. 완전비탄성충돌 이 실험에서는 탄환과 탄동진자의 충돌을 완전비탄성충돌로 가정했고, 탄환의 질량과 탄동진자의 질량, 탄동진자의 회전축과 탄동진자의 질량중심 사이의 거리를 ...2025.04.30
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(A+,고퀄보장)중앙대학교 일반물리실험1 구심력 측정 결과보고서2025.05.041. 구심력 측정 본 실험은 구심력 측정 장치를 이용하여 등속 원운동하는 물체의 구심력을 측정하는 실험이었습니다. 구심력의 원인이 되는 힘으로 용수철의 탄성력(Fs)을 이용하였고 이를 이용하여 등속원 운동에 작용하는 구심력의 크기를 측정하고 비교해볼 수 있었습니다. 실험 결과 각 실험들의 이론값, 실험값 그리고 오차율을 비교해본 결과 약 5% 내외의 오차율로 실험값이 이론값에 근사하게 잘 측정되었음을 알 수 있었습니다. 이를 통해 Fg(=Mg)는 회전 중에 일어난 용수철의 탄성력과 같은 힘이고, 이 탄성력이 곧 3중추의 원운동을 일...2025.05.04
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[A+]중앙대학교 마이크로프로세서 응용회로설계실습 led_dotMatrix 실습 결과보고서2025.05.051. 마이크로프로세서 응용회로 설계 실습 이 보고서는 중앙대학교 전자전기공학부의 마이크로프로세서 응용회로 설계 실습 5주차 결과에 대한 내용입니다. 보고서에는 실습 교재의 3개 문제에 대한 답변, main.c 파일의 각 함수 역할 설명, 입력값에 따른 결과 예상, shift 연산 대체 방법, dot.c 파일의 dot_decimal 선언 부분 작성 및 실험 결과 등이 포함되어 있습니다. 1. 마이크로프로세서 응용회로 설계 실습 마이크로프로세서 응용회로 설계 실습은 전자공학 분야에서 매우 중요한 부분입니다. 마이크로프로세서는 다양한 전...2025.05.05
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중앙대 일반물리실험(2) 11주차 실험 결과 보고서2025.05.151. 자기력 실험 자기장 내에 수직하게 입사한 하전입자는 원궤도 운동을 하며, 전류를 증가시켜 자기장을 크게 하면 원궤도의 반경이 감소한다. 전압을 증가시켜 전자의 속력을 크게 하면 원궤도의 반경이 증가한다. 전류가 흐르는 도선 고리의 양 단면은 서로 다른 자극을 띄며, 도선이 받는 힘은 자기장의 세기와 전류의 세기에 비례한다. 2. 전자기유도 실험 속도가 빠를수록 유도전류의 크기 변화가 커지며, 자기장의 세기가 커질수록 기전력도 커진다. 사각 코일의 단면과 자석이 만드는 자기장이 이루는 각의 변화가 유도전류를 발생시키며, 코일의 ...2025.05.15
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중앙대학교 전자회로설계실습 BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로2025.05.101. BJT 특성 및 동작 원리 이번 실험을 통해 BJT의 특성과 동작원리를 이해할 수 있었다. LED를 구동하는 회로를 이용해 BJT의 베이스-이미터 전압을 어떻게 인가하느냐에 따라서 이미터, 컬렉터의 전류의 흐름이 영향을 받는 것을 알 수 있었다. 2. BJT를 이용한 LED 구동 회로 LED 부하를 이미터 쪽에 달아줌으로써 동작을 관찰하고 인버터쪽에 달아줌으로써 동작에 어떤 차이가 있는지 비교할 수 있었다. 이론에서 계산한 전압, 전류 값을 측정한 값과 비교함으로써 실험을 진행했다. 3. MOSFET을 이용한 LED 구동 회로...2025.05.10
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