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신소재프로젝트2 세라믹 A+ 예비레포트2025.01.041. 재료의 임피던스 재료는 고유의 전기전도도(σ)와 유전율(ε)값을 갖고 있으며, 이를 통해 물질의 저항(R)과 커패시턴스(C)를 알 수 있다. 이러한 전기적 특성은 재료의 임피던스 정보에 포함되며, 등가회로를 통해 분석할 수 있다. 2. 임피던스 임피던스는 교류 전압과 교류 전류를 통해 얻어지는 교류저항(Z)을 의미한다. 복소평면에서 실수부(직류 저항 R)와 허수부(리액턴스 X)로 나타낼 수 있으며, 주파수에 따라 그 값이 달라진다. 이러한 주파수 의존성을 분석하는 것이 임피던스 분광법이다. 3. RC병렬회로의 임피던스 R, C...2025.01.04
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반도체 다이오드의 전기적 특성 평가2025.01.021. P-N 접합 반도체 P형 반도체와 N형 반도체가 접합되어 형성되는 P-N 접합 반도체에 대해 설명하고 있습니다. 접합 부위에서 확산에 의해 재결합이 일어나며, 이로 인해 공핍층이 형성됩니다. P-N 접합은 다이오드와 트랜지스터 등 반도체 소자의 기본 구성 원리가 됩니다. 2. 다이오드의 원리와 특성 다이오드는 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 반도체 소자입니다. 정류 다이오드는 교류를 직류로 변환하는 데 사용되며, 제너 다이오드는 역방향 전압이 일정 수준 이상 걸리면 전류가 급격히 증가하는 특성을 가지고 있습니다. 다이오드의 ...2025.01.02
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