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스트레인게이지2025.01.171. 스트레인 게이지 스트레인 게이지(Strain Gauge)는 물체에 외력(인장 또는 압축)이 가해질 때 발생하는 변형으로 인해 저항값이 변화하는 성질을 이용하여 전기저항을 물리적인 변화량으로 변환하여 측정하는 장치입니다. 스트레인 게이지는 주로 기계요소나 구조물의 해석과 설계 분야에서 물체의 변형을 측정하는데 사용됩니다. 스트레인 게이지는 장착과 연결이 간편하지만 온도에 민감하게 반응한다는 단점이 있습니다. 스트레인 게이지는 타이어, 파이프, 소성가공 장비, 발전소 터빈 등 다양한 분야에 적용되고 있습니다. 2. 스트레인 측정 ...2025.01.17
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스트레인 게이지 실험 보고서 (A+)2025.01.241. 스트레인 게이지 스트레인 게이지는 힘이 가해지면 물체 표면에서 발생하는 길이 변화를 측정하고 이에 따른 전기 저항 변화를 통해 변형률과 응력을 측정하는 센서입니다. 스트레인 게이지는 Backing Material, Grid Material, Encapsulation Film으로 구성되어 있으며 저항 변화율이 변형률에 비례하는 원리로 작동합니다. 2. 휘트스톤 브리지 스트레인 게이지는 휘트스톤 브리지 방식을 사용하여 물리적 변형을 전기 신호로 변환합니다. 휘트스톤 브리지는 4개의 저항 암으로 구성되어 있으며, 2개의 병렬 전압 ...2025.01.24
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[2024-1학기 국민대학교 자동차융합실험] 전기전자 회로 이론 및 센서 설계 실험(A+)2025.01.291. 키르히호프의 법칙 회로 실험 전압분배법칙과 옴의 법칙을 사용하여 이론치 전압과 전류를 구했다. 키르히호프 제1법칙(KCL)과 제2법칙(KVL)이 이론치에서는 모두 성립했지만, 측정치에서는 오차를 보였다. 오차 원인으로는 저항 자체의 오차율, 회로 전선의 저항, 디지털 멀티미터의 불완전한 성능, 환경적 요인 등이 있었다. 비록 오차율이 크게 나왔지만 근사적으로 KCL과 KVL이 성립함을 확인할 수 있었다. 2. 테브난-노턴정리 부하저항에 따른 전압과 전류의 이론치와 측정치를 비교하였다. 전압의 오차율은 1% 이내였지만, 전류와 ...2025.01.29
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