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중첩의 원리와 테브난/노턴 정리 예비보고서2025.01.131. 중첩의 원리 중첩의 원리란 다중 전원이 있는 선형 회로 소자만으로 구성된 선형 회로망에서 모든 전원이 동시에 인가 될 경우 회로망에서의 전류 및 전압의 반응은 각 전원이 개별적으로 작용할 경우의 반응의 합과 같다는 것이다. 중첩의 원리를 사용하면 다중 전원을 가진 선형 회로에서 쉽게 전압 및 전류를 구할 수 있다. 2. 테브난 정리 테브난 등가 회로는 전원을 포함한 선형 회로를 하나의 비종속 전압 전원과 이와 직렬로 연결된 하나의 저항으로 구성된 회로로 표현한 것이다. 테브난 등가 회로로 표현하기 위해서는 내부에 비종속 전원이...2025.01.13
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테브난의 정리와 등가회로2025.05.151. 등가회로 등가회로란 복잡한 회로를 간단하게 나타낸 회로를 뜻한다. 테브난 등가회로는 두 개의 단자를 포함한 전압원, 전류원, 저항의 어떤 조합의 회로라도 하나의 전압원과 하나의 직렬저항으로 회로를 간단하게 표현하여 나타낸 등가회로를 뜻한다. 2. 테브난의 정리 테브난의 정리는 교류시스템에서 단순 저항이 아닌, 임피던스로 적용가능하다. 테브난 등가회로는 이상적인 전압원과 이상적인 저항의 직렬연결 상태로 구성될 수 있으며, 이는 특정한 소자에 걸리는 전압을 구할 때에 주로 사용된다. 3. 등가저항과 등가전압 등가회로를 해석하기 위...2025.05.15
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중앙대 전기회로설계실습 12차 결과보고서2025.04.271. RC 회로의 주파수 특성 실제 회로에서 사용되는 회로소자(인덕터, 커패시터)의 등가회로를 이해하고 이 소자들이 주파수가 증가함에 따라 어떻게 동작하는지 알기 위해 실습을 진행하였다. R=10kΩ, C=0.1uF가 직렬로 연결된 회로의 주파수 응답을 측정한 결과, 1MHz 부근에서부터 이론값과 실험값의 증감 경향성이 달라졌다. 이는 주파수가 증가하면서 커패시터가 인덕터의 성향을 띄기 시작하기 때문이다. 2. RL 회로의 주파수 특성 R=10kΩ, L=10mH가 직렬로 연결된 회로의 주파수 응답을 측정한 결과, 9.4MHz 부근 ...2025.04.27
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전자공학실험 1장 PN 접합 다이오드 및 제너 다이오드 A+ 예비보고서2025.01.131. PN 접합 다이오드의 기본 구조와 동작 원리 PN 접합 다이오드는 p형 반도체와 n형 반도체의 접합으로 만들어지는 비선형 소자이다. 다이오드는 극성 소자로서 양단에 걸리는 전압에 따라 전류 특성이 변한다. 다이오드의 양극이 음극보다 전압이 높으면 순방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고, 양극에서 음극으로 전류를 흘리게 된다. 반대로 음극이 양극보다 전압이 높게 된다면 역방향 바이어스 전압이 인가되었다고 하고 양단 사이에 전류가 흐르지 않게 된다. 2. PN 접합 다이오드의 동작 영역과 전류-전압 특성 PN접합 다이오드는 양단...2025.01.13
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전기회로설계실습 12장 결과보고서2025.01.201. 수동소자의 고주파 특성 측정 이번 실험은 RC 직렬, RL 직렬 회로를 설계하여, 저항, 커패시터, 인덕터의 고주파 특성을 측정하고 이들 소자들이 넓은 주파수 영역에서 어떻게 동작하는지 실험적으로 이해하는 것이 목적이다. 실험 결과, 약 4MHz 부근에서 커패시터가 인덕터로 작동하는 것을 확인했으며, 약 50kHz 부터 인덕터가 커패시터로 작동하는 것을 알 수 있었다. 전체적으로 수동소자들의 고주파 특성을 잘 확인할 수 있었다. 1. 수동소자의 고주파 특성 측정 수동소자의 고주파 특성 측정은 전자 회로 설계 및 분석에 매우 중...2025.01.20
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테브난 정리 실험2025.05.161. 테브난 정리 테브난 정리(Thevenin's Theorem)는 복잡한 회로의 전압/전류를 쉽게 구할 수 있는 방법입니다. 전원이 포함된 회로망을 등가전압과 직렬 연결된 등가저항 형태의 등가회로로 만들 수 있습니다. 이를 위해 전류 또는 전압을 구하려는 연결점이나 부품을 개방된 단자로 만들고, 단자 간에 나타나는 전압을 등가전압(VTh)으로, 전원을 제거하고 단자 쪽에서 바라본 저항을 등가저항(RTh)으로 구합니다. 이렇게 구한 VTh와 RTh를 직렬로 연결하여 테브난 등가회로를 만들 수 있습니다. 2. 테브난 정리 실험 이 실...2025.05.16
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중첩의 원리 & 테브낭 노튼 정리 예비보고서2025.01.121. 중첩의 원리 중첩의 원리는 선형미분방정식으로 표현되는 모든 물리계에 대하여 성립하며, 특히 전기회로망에 대해서는 '다수의 전원을 포함하는 선형회로망에 있어서 임의의 점에 전류 및 전압은 개개의 전원이 독단적으로 작용할 때에 그 점의 전류 및 전압을 합한 것과 같다'라고 할 수 있다. 이를 실험적으로 증명하고, 전압원과 전류원을 이해하며 중첩의 원리에 대한 응용력을 키운다. 2. 테브낭 정리 테브낭의 정리는 어떠한 구조를 갖는 회로망도 그 임의의 두 단자 A-B 외측에 대해서 하나의 전원전압과 하나의 임피던스가 직렬연결된 것으로...2025.01.12
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델타와이 변환 및 회로해석 결과보고서2025.01.121. 델타-와이 변환 이번 실험은 복잡한 회로, 델타 형 회로를 와이 형 회로로 변환해보고 두 값의 오차를 살펴보는 실험입니다. 실험에서는 주어진 저항값보다 10배 높은 값들을 이용하였고, 가변저항기 대신 델타 형 회로에 해당하는 값들을 직접 계산해 고정저항기를 사용하였습니다. 실험 결과, 델타 형 회로를 와이 형 회로로 변환해도 오차가 6% 정도로 크지 않아 두 회로를 등가회로라 볼 수 있습니다. 신호 회로망에 대한 델타-와이 변환은 효과적인 방법 중 하나이며, 복잡한 델타 형 회로가 제시된다면 와이 형 회로로 변환해 합성저항과 ...2025.01.12
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4장 테브냉 및 노튼의 정리 최종 (1)2025.05.031. 테브냉의 정리 테브냉의 등가 전압 V_TH는 단자 A, B를 개방했을 때의 A, B 양단의 전압이다. 전압 분배에 의해 V_TH = 28 * (R2 / (R1 + R2)) = 14V이다. 테브냉의 등가저항 R_TH는 R1과 R2의 병렬에 R3가 직렬이 되는 합성 저항값으로, R_TH = 2KΩ이다. 이를 이용하여 부하저항 R_L의 전압과 전류를 구할 수 있다. 2. 노튼의 정리 노튼의 등가저항 R_N은 테브냉의 등가저항과 같다. 노튼의 등가 전류원 I_N은 A, B를 단락했을 때 단자 A, B에 흐르는 전류이다. 테브냉의 정리...2025.05.03
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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 11장 연습문제 풀이2025.01.021. 연산증폭기의 응용회로 1. 그림 11-22에서 연산증폭기의 반전(-) 입력전압은 ±Vd 차동전압을 무시할 수 있으므로 연산증폭기의 비반전(+) 입력전압 또한 ±Vd이다. 따라서 출력전압 Vo는 ±Vd ± Vref이다. 2. 이 비교기는 히스테리시스와 제너제한을 가지며, 양단 전압은 항상 ±Vref이다. 3. 연산증폭기의 반전(-) 입력전압은 ±Vd 차동전압을 무시할 수 있으므로 연산증폭기의 비반전(+) 입력전압 또한 ±Vd이다. 4. 시정수 RC에 따른 출력 파형의 변화율을 설명하고 있다. 5. 그림 11-25에서 R1, R2...2025.01.02
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