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반파·전파·브리지 정류 및 필터 실험 결과보고서2025.11.181. 반파 정류(Half-wave Rectification) 반파 정류는 다이오드 하나를 이용하여 교류 신호의 한 방향만 통과시키는 정류 방식입니다. 실험에서 측정된 피크-투-피크 전압은 7.640V, DC 평균값은 2.34V로 나타났습니다. 반파 정류기의 출력파형은 입력신호의 절반 주기만 출력되며, 입력과 출력의 주파수는 동일하지만 주기는 입력의 절반으로 줄어듭니다. 다이오드의 PIV(피크 역전압)는 입력 전압의 절반이 됩니다. 2. 전파 정류(Full-wave Rectification) 전파 정류는 다이오드 두 개를 사용하여 교...2025.11.18
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접합 다이오드 근사해석 실험 결과보고서2025.11.181. 접합 다이오드의 특성 측정 1N4148 다이오드를 이용하여 다양한 전류 조건에서 다이오드의 전압값을 측정하고 분석하는 실험이다. 10mA 흐름 시 실험값 0.745V, 시뮬값 0.754V로 약 1% 차이를 보였고, 50mA 흐름 시 실험값 0.824V, 시뮬값 0.870V로 약 5% 차이를 나타냈다. DMM의 다이오드 모드로 측정한 문턱전압은 0.750V이며, 이 값 이상의 전압이 인가되면 다이오드가 도통되어 전류가 흐르는 특성을 확인했다. 2. 다이오드 근사해석 방법의 비교 제1근사해석(Ideal)은 문턱전압을 무시하고 0V...2025.11.18
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접합 다이오드의 특성 실험 결과보고서2025.11.181. 접합 다이오드(Junction Diode) PN 접합에 존재하는 전위 장벽에 의해 문턱 전압이 발생합니다. Si 다이오드는 0.7V, Ge 다이오드는 0.3V부터 전류값이 급격히 올라갑니다. 다이오드는 순방향 바이어스 시 전류가 흐르고 역방향 바이어스 시 전류가 흐르지 않는 특성을 가집니다. 벌크 저항은 P와 N 영역의 저항의 합이며 이론적 범위는 1~25Ω입니다. 2. I-V 특성 곡선(Current-Voltage Characteristic Curve) 다이오드의 I-V 특성 곡선은 순방향과 역방향 바이어스에서 전류와 전압의...2025.11.18
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RLC 직렬회로 실험 결과보고서2025.11.181. RLC 직렬회로의 공진 특성 RLC 직렬회로에서 페이저 해석을 이용하여 전달함수를 구하고 진폭응답특성과 위상특성을 분석한다. 실험을 통해 공진주파수 17.2kHz를 측정했으며, 공진주파수에서 출력파형이 최대가 된다. 차단주파수는 공진주파수에 ±0.707배를 곱하여 구하며, 대역폭은 두 차단주파수 사이의 폭으로 약 4.8kHz였다. 이를 통해 RLC 회로의 주파수 선택 특성을 이해할 수 있다. 2. 주파수에 따른 위상차 변화 신호 발생기에서 ±3V 진폭, 1kHz 주파수의 정현파를 발생시켜 RLC 직렬회로에 인가했다. 주파수를 ...2025.11.18
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미분, 적분 회로 실험 결과보고서2025.11.181. 미분회로 (Differentiator Circuit) RC 직렬회로(R=1kΩ, C=0.1μF)를 이용하여 구성한 미분회로는 구형파, 정현파, 삼각파 등 다양한 입력신호에 대해 미분 특성을 나타낸다. 주파수가 증가할수록 출력파형이 크고 분명하게 나타나며, 저주파에서는 출력파형의 폭이 감소하고 0Hz에서는 일직선에 가까운 형태를 보인다. 입력파형의 변화에 따라 출력파형도 달라지는 특성을 관찰할 수 있다. 2. 적분회로 (Integrator Circuit) RC 직렬회로를 커패시터 출력으로 구성한 적분회로는 미분회로와 반대의 특성...2025.11.18
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인덕턴스와 RL 회로 실험 결과보고서2025.11.181. 인덕턴스(Inductance) 측정 교류회로에서 사용되는 인덕턴스를 측정하는 방법을 다룬다. 실제 인덕터는 저항성분 R과 리액턴스 성분 ωL을 가지고 있으며, 저항성분은 직류전압을 이용하여 측정하고 리액턴스 성분은 교류전압을 인가하여 측정한다. 실험에서는 10mH 인덕터를 LCR 계측기로 측정하고, 다양한 전류값(30mA, 25mA, 20mA, 15mA, 10mA)에서 전압을 측정하여 인덕턴스 특성을 파악했다. 2. RL 직렬회로의 응답특성 1계 회로인 RL 회로에 교류신호를 인가했을 때 나타나는 응답특성 |H(jω)|와 위상...2025.11.18
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정전용량과 RC회로 실험 결과보고서2025.11.181. 정전용량(Capacitance) 측정 교류회로에서 빈번히 사용되는 정전용량을 측정하는 방법을 이해하기 위해 LCR 계측기를 이용하여 커패시터의 용량을 측정했다. 0.2[μF]의 이론값에 대해 0.344[μF]의 측정값을 얻었고, 0.1[μF]의 이론값에 대해 0.123[μF]의 측정값을 얻었다. 측정 기기 내부의 오차율과 커패시터의 실제 값이 이론값과 다른 점이 편차의 원인으로 추정된다. 2. RC회로의 진폭응답특성 1계 회로인 RC 직렬회로에 주파수가 다른 교류신호를 인가하여 진폭응답특성 |H(jω)|을 측정했다. 1kHz에...2025.11.18
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RLC 직렬회로의 과도특성 실험 결과보고서2025.11.181. RLC 직렬회로의 고유응답 특성 RLC 직렬회로에서 무전압 상태의 고유응답 특성을 분석하는 실험입니다. 감쇄 정도에 따라 과감쇄특성(D>0), 임계감쇄특성(D=0), 부족감쇄특성(D<0)으로 분류됩니다. 실험에서는 R=1kΩ, L=10mH, C=0.01μF 등 다양한 소자 조합을 사용하여 각 감쇄 특성을 관찰하고 이론값과 실험값을 비교 분석했습니다. 2. 감쇄 지수 및 공진주파수 계산 RLC 회로의 감쇄 특성을 판정하기 위해 판별식 D = (R/2L)² - 1/(LC)를 계산합니다. 이 값의 부호에 따라 회로의 응답 특성이 결...2025.11.18
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RC, RL 회로의 시정수 실험 결과보고서2025.11.181. 시정수(Time Constant) 시정수는 RC 및 RL 회로에서 출력이 최댓값의 1/e(약 36.8%)에 도달하는 시간을 의미한다. RC 회로에서는 τ = RC, RL 회로에서는 τ = L/R으로 계산된다. 실험 결과 커패시터 값이 커질수록 RC 회로의 시정수는 감소하고, 인덕터 값이 커질수록 RL 회로의 시정수는 증가하는 특성을 확인했다. 2. 고유응답(Natural Response)과 강제응답(Forced Response) 고유응답은 무전압 상태에서 회로의 자연적 응답을 의미하며, 강제응답은 직류전압 인가 시 나타나는 응...2025.11.18
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휘트스톤 브리지와 오실로스코프 실험 결과보고서2025.11.181. 휘트스톤 브리지(Wheatstone Bridge) 휘트스톤 브리지는 4개의 저항에 검류계와 전지를 접속시킨 회로로, 미지저항을 측정하는 데 사용된다. 브리지의 평형 조건은 P/Q = X/R 또는 PR = QX의 관계식이 성립될 때 검류계에 흐르는 전류가 0이 되는 원리를 이용한다. 실험에서는 Q=1kΩ, X=2kΩ, P=0.5kΩ일 때 가변저항 R을 조절하여 1kΩ에서 평형상태를 달성했으며, 이를 통해 미지저항 측정법을 익혔다. 2. 오실로스코프(Oscilloscope) 사용법 오실로스코프는 전기신호를 시각화하는 측정기기로, ...2025.11.18
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