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전기회로설계실습 예비보고서 10. RLC 회로의 과도응답 및 정상상태응답2025.01.171. RLC 직렬회로 특성 분석 이 보고서에서는 RLC 직렬회로의 과도응답과 정상상태응답을 분석하고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1. RLC 직렬회로에서 R= 500 OMEGA, L= 10 mH, C= 0.01 μF인 경우 자연진동수(ω_o), 감쇠진동수(ω_d)를 계산하였습니다. 2. 입력이 사각파(0 to 1 V, 1 kHz, duty cycle = 50 %)인 경우 R, L, C에 걸리는 전압파형을 시뮬레이션하였습니다. 3. R = 4 k OMEGA이고 입력이 사각파(0 to 1 V, 1 kHz, duty cyc...2025.01.17
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전기회로설계실습 예비보고서 11. 공진회로(Resonanr Circuit)와 대역여파기 설계2025.01.171. RLC 직렬회로의 bandpass filter 설계 Q-factor가 1인 bandpass filter와 Q-factor가 10인 bandpass filter를 설계하였습니다. 각각의 전달함수의 크기와 위상차를 주파수의 함수로 그래프로 나타내었고, 반전력주파수와 대역폭을 계산하였습니다. 실험에 사용할 측정 주파수를 결정하여 표로 정리하였습니다. 2. RLC 병렬회로의 bandstop filter 설계 Q-factor가 1인 bandstop filter를 설계하였습니다. 전달함수의 크기와 위상차를 주파수의 함수로 그래프로 나타내...2025.01.17
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기초 회로 실험 제 6장 직류의 측정(예비레포트)2025.01.171. 저항 저항은 전기회로에서 전류가 흐르는 것을 방해하는 전기적 요소입니다. 자유전자가 잘 이동하지 못하게 하는 역할을 하며, 단위는 Ω입니다. 저항 값은 저항기의 허용 범위 내에서 조정할 수 있습니다. 2. 전압 전압은 보통 단위 전하 당 일의 변화율을 말하며 단위는 [V]입니다. 회로 이론에서는 한 소자와 연결되어 있는 노드들의 전위차라고 설명할 수 있습니다. 배터리나 전원공급기 역할을 수행하는 전압원의 전압은 독립적으로 회로에서 발생시킬 수 있습니다. 3. 전류 전류는 단위가 [A]이며, 전압의 값과 저항에 의해 결정됩니다....2025.01.17
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기초 회로 실험 제 7장 옴의 법칙(예비레포트)2025.01.171. 옴의 법칙 옴의 법칙은 전압(V), 전류(I), 저항(R) 사이의 관계를 나타내는 공식으로, V=I x R로 표현된다. 이번 실험에서는 옴의 법칙 성립 여부를 확인하고, 실험 측정값과 이론값 사이의 오차 발생 원인을 규명하고자 한다. 오차 발생 원인으로는 아날로그 전류계 사용에 따른 눈금 읽기 오차, 시차에 따른 오차 등이 있다. 2. 전기회로 실험 이번 실험에서는 가변 직류전원, 밀리암페어, DMM, 저항기 등의 실험 준비물을 사용하여 회로를 구성하고 전압, 전류, 저항 간의 관계를 측정한다. 실험은 크게 4가지 과정으로 진...2025.01.17
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기초 회로 실험 제 23장 평형 브리지 회로(예비레포트)2025.01.171. 브리지 회로 브리지 회로를 사용하면 저항값을 정확하게 측정할 수 있다. 브리지 회로에는 고감도 검류계와 교정된 표준 가변 저항이 사용되며, 검류계는 A와 C가 같은 전위에 있음을 나타낸다. 이때 A와 C의 전압이 동일하지 않으면 전류의 방향도 나타낸다. 브리지 회로에서 R1과 R2는 정밀 고정 저항기이며, 비율 가지라고 하고 R3는 표준 가지라 한다. 점 A와 C 전압이 동일한 경우 전류가 흐르지 않게 되어 평형 브리지가 만들어진다. 2. 평형 브리지 회로 평형 브리지 회로에서 옴의 법칙에 의해 전압강하의 값을 구하면 R1 =...2025.01.17
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기초 회로 실험 제 23장 평형 브리지 회로(결과레포트)2025.01.171. 평형 브리지 회로 이번 장에서는 평형 브리지 회로를 구성하고 실험을 통해 저항들 사이의 관계식을 입증하였다. 실험 결과 평형 브리지 회로 공식인 Rx = (Ra * Rb) / Rc가 성립함을 확인할 수 있었다. 또한 브리지 회로의 측정 범위를 30kΩ과 100kΩ까지 확장하기 위해 저항 비율을 조절하는 방법도 실험을 통해 검증하였다. 실험 결과와 이론치의 차이는 실제 저항, 전류, 전압 등의 값이 이론치와 다르기 때문에 발생하는 것으로 보인다. 평형 브리지 회로의 정밀도를 높이기 위해서는 감도 좋은 검류계, 정밀한 저항기, 가...2025.01.17
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기초 회로 실험 제 25장 테브닌 정리(예비레포트)2025.01.171. 테브닌 정리 테브닌 정리는 임의의 선형 2단자 회로에서 직렬회로인 테브닌 등가전압과 테브닌의 등가 저항으로 대체 가능하다는 정리입니다. 테브닌 등가전압은 부하 저항을 제거했을 때 양단에 걸리는 전압이고, 테브닌의 등가 저항은 전압원을 단락 시킨 상태에서 개방된 부하의 양 단자의 합성 저항값입니다. 이를 통해 복잡한 회로를 간단한 등가회로로 표현할 수 있습니다. 2. 테브닌 정리를 이용한 비평형 브리지 회로 해석 비평형 브리지 회로에서 테브닌 정리를 이용하면 등가회로를 보다 쉽게 구할 수 있습니다. 부하 저항을 제거한 상태에서의...2025.01.17
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기초 회로 실험 제 25장 테브닌 정리(결과레포트)2025.01.171. 테브닌 정리 이번 장에서는 테브닌 정리라는 이론을 통해 테브닌 등가전압 Vth와 테브닌 등가저항 Rth가 이론적으로 맞는지를 실험을 통해 확인하였고, 테브닌 정리가 성립한다는 것을 확인할 수 있었다. 실제 저항, 전압, 전류 값들을 측정하고 계산한 결과, 측정값과 계산값이 유사한 것을 통해 테브닌 정리가 성립함을 보였다. 또한 복잡한 회로를 테브닌 정리를 통해 간단한 등가회로로 변환할 수 있어 회로 분석에 유용하게 사용될 수 있다는 것을 알 수 있었다. 1. 테브닌 정리 테브닌 정리는 복잡한 수학적 개념을 다루는 주제입니다. ...2025.01.17
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중앙대 전기회로설계실습 2. 전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계 결과보고서2025.01.171. 건전지의 출력저항 측정 이 실습에서는 건전지의 출력저항과 DMM의 입력저항을 측정하는 회로를 설계, 제작, 측정하고 DC Power Supply의 사용법을 익혔다. 실습 결과, 건전지의 내부저항은 약 1.58Ω으로 매우 작은 값이었다. 이는 실습 전에 예상했던 것과 비슷한 결과였으며, DMM으로 측정한 실제값을 대입하여 보다 정확한 결과를 얻었다고 생각된다. 2. DMM의 입력저항 측정 이 실습에서는 건전지의 출력저항과 DMM의 입력저항을 측정하는 회로를 설계, 제작, 측정하고 DC Power Supply의 사용법을 익혔다. ...2025.01.17
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중앙대 전기회로설계실습2. 전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계 예비보고서2025.01.171. 전원의 출력저항 측정 전원의 출력저항을 측정하는 회로를 설계, 제작, 측정하여 부하효과(Loading effect)를 이해한다. 이를 위해 건전지, DC Power Supply, Digital Multimeter 등의 기본 장비와 부품을 사용한다. 2. DMM의 입력저항 측정 DMM의 입력저항을 측정하는 회로를 설계, 제작, 측정하여 부하효과(Loading effect)를 이해한다. 이를 위해 리드저항, Pushbutton switch 등의 부품과 기본 장비를 사용한다. 3. DC Power Supply 사용법 익히기 DC P...2025.01.17
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