1. 증가형 MOSFET의 바이어스 회로 1.1. N-채널 MOSFET의 전압분배 바이어스 회로 N-채널 MOSFET의 전압분배 바이어스 회로는 저항 R1과 R2로 전원전압 VDD를 분배하여 게이트 바이어스 전압 VG를 생성한다. 이 회로에서 드레인 전류 ID는 드레인-소스 전압 VDS에 의해 결정되며, 게이트-소스 전압 VGS가 일정하게 유지된다. 드레인 전류 ID는 MOSFET의 특성에 따라 VDS에 비례하다가 일정 전압 이상에서 포화되는 특성을 보인다. 전압분배 바이어스 회로에서 드레인 저항 RD가 동작점에 미치는 영향을...