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Gibbs Phenomenon
RL 회로
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전압 파형
충전 및 방전
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중앙대학교 RL회로 결과
2024.11.04
1. 요약 실험결과를 통해 RL 직렬회로의 충전 방전을 이해할 수 있었다. 주어진 시정수를 갖는 RL회로를 설계하고 이를 측정하는 방법을 설계하였다. RL회로를 설계하여 함수발생기와 오실로스코프를 이용해 함수발생기의 출력파형, 저항전압파형, 인덕터의 전압파형을 측정하였고 저항과 인덕터에 각각 0.632V, 0.368V가 걸리는 것을 확인하였다. 또한 시정수는 8.9 μs로 오차율은 -11%로 나타났다. 인덕터와 저항을 정밀하게 이론값과 맞추지 못한 것이 큰 오차를 만들어냈을 것이다. OFFSET이 있는 입력전압을 가했을 때와 OFF...
2024.11.04
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# 저항
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# 측정 정확도
AI 챗봇
2025년 02월 22일 토요일
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