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전자회로 jfet2024.10.201. JFET의 구조 및 종류 1.1. n채널 JFET n채널 JFET은 n형 반도체 물질로 제작된 채널 영역의 양쪽에 p형 반도체 물질을 확산시켜 만든 접합 전계효과 트랜지스터이다. n채널 JFET에서는 소스와 드레인 사이에 n형 채널이 형성되며, 게이트와 채널 사이에는 역방향으로 바이어스된 p-n 접합이 존재한다. 게이트에 음의 전압을 인가하면 채널과 게이트 사이에 공핍층이 형성되고, 이에 따라 채널 폭이 좁아지게 된다. 채널 폭이 좁아짐에 따라 채널의 저항이 증가하여 소스에서 드레인으로 흐르는 전류가 감소하게 된다. 이처...2024.10.20
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한기대 다이오드2025.05.051. 한기대 다이오드 1.1. 제너다이오드의 특성 측정 1.1.1. 역방향 바이어스 특성 제너다이오드에 역방향 바이어스를 걸면 전압이 초기에는 작지만 일정 수준 이상이 되면 급격하게 증가하는 특성이 있다. 이는 다이오드의 접합부에서 항복 현상이 발생하기 때문이다. 항복 전압 이상이 되면 다이오드 내부에서 많은 전자-정공 쌍이 생성되어 도통 전류가 크게 증가한다. 따라서 역방향 바이어스 상태에서 다이오드의 전압-전류 특성은 선형적이지 않고 비선형적인 특성을 보인다. 제너다이오드를 역방향 바이어스하면 문턱 전압 이상의 전압에서 일정...2025.05.05