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반도체 소자, 반도체 공정, ALD2024.10.021. 반도체 공정 개요 1.1. 반도체 공정의 주요 단계 반도체 공정의 주요 단계는 다음과 같다. 웨이퍼 공정은 실리콘 잉곳을 가공하여 웨이퍼를 만드는 단계이다. 실리콘 잉곳을 자르고 연마하여 표면을 평탄하게 만들고, 열처리를 통해 웨이퍼의 결정구조를 개선한다. 이후 웨이퍼에 산화막을 증착하여 기본적인 절연체를 형성한다. 다음으로는 노광 공정이다. 웨이퍼 표면에 감광 물질인 포토레지스트를 코팅하고, 마스크를 통해 빛을 쬐어 원하는 패턴을 형성한다. 이를 통해 웨이퍼 표면에 회로의 모양을 새길 수 있다. 그 다음 단계는 증착...2024.10.02
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속도와 비가 내가 내리는 각도를 고려한 면적2024.11.231. 진공과 박막 1.1. 진공의 개념 1.1.1. 진공의 정의 진공(Vacuum)은 물질이 전혀 존재하지 않는 공간을 의미한다. 하지만 실제로 완벽한 진공을 만드는 것은 매우 어려운 일이기 때문에, 일반적으로 1/1000(10^{-3})㎜Hg 정도 이하의 낮은 압력을 가진 상태를 진공이라고 정의한다. 즉, 진공은 용기 내에 남아있는 기체의 압력이 매우 낮은 상태를 말한다. 진공전구의 경우 진공도는 10^{-2}∼ 10^{-5}㎜Hg, 수신용 진공관은 10^{-4}∼ 10^{-6}㎜Hg, TV 브라운관은 10^{-6}㎜Hg 정도...2024.11.23
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반도체 공정2024.09.021. 반도체 공정의 이해 1.1. 웨이퍼 제조 웨이퍼는 실리콘(Si)을 단결정기둥(ingot)으로 성장시켜 절단 후 연마하여 만들어진 것이다. 웨이퍼는 실리콘, 갈륨 아세나이드(GaAs) 등의 단결정 원판을 의미하며, 이 중 실리콘 웨이퍼가 가장 많이 사용된다. 실리콘을 사용하는 이유는 실리콘이 흔하고 경제적으로 저렴하며 독성이 없어 인체에 무해하기 때문이다. 웨이퍼 제조 공정의 첫 단계는 실리콘(폴리실리콘) 원료를 녹여 고순도의 실리콘 용액을 만드는 것이다. 이 용액을 결정 성장시켜 단결정의 실리콘 잉곳을 얻는다. 반도체용 잉...2024.09.02