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전자회로실험 실험112024.09.151. 공통 소오스 증폭기 1.1. 실험 절차 실험 절차는 다음과 같다. 실험회로 1에서 값을 12V, 값을 0V, 값을 4V로 두고 저항 값이 2kΩ인 경우 의 DC 값이 6V가 되는 의 값을 결정해야 한다. 이 경우 MOSFET 각각에 흐르는 전류와 전압을 구하고 어떤 영역에서 동작하는지 확인해야 한다. 값을 0V, 값을 0V부터 12V까지 2V 간격으로 변화시키면서 의 DC 전압을 측정하여 표에 기록하고, 입력-출력() 전달 특성 곡선을 그려야 한다. 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 MOSFET의 트랜스 컨덕턴스 값, ...2024.09.15
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2N70002024.09.271. MOSFET 소자 특성 측정 1.1. 목적 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, gm)을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것이 이 실습의 목적이다. 1.2. 실습준비물 실습준비물은 DC Power Supply(2 channel) 1대, Digital Multimeter (이하 DMM) 1대, 40cm 잭-집게 연결선 (빨강) 4개, 40cm 잭-집게 연결선 (검정) 4개, Br...2024.09.27
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증폭기 프로젝트2024.09.131. 개요 오디오 증폭기는 음성신호를 증폭하여 스피커를 구동할 수 있는 충분한 전력을 제공하는 장치이다. 일반적으로 처리하는 신호가 음성신호이므로 대역폭은 20 Hz에서 20 kHz 정도이어야 하고, 낮은 스피커 부하저항을 구동함에 있어서 왜곡 없이 충분한 이득을 제공할 수 있어야 한다. 본 프로젝트에서는 스마트폰 등의 헤드셋 단자에서 나오는 작은 음성신호를 스피커로 감상할 수 있도록 오디오 증폭기를 설계 및 구현하고자 한다. 이를 위해 입력 신호의 특성, 전원전압, 출력전력, 볼륨 조절 기능, 스피커 부하저항, 그리고 대역폭 등의...2024.09.13
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캐스코드2024.09.131. 실험 개요 1.1. 실험 목적 '1.1. 실험 목적'은 달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로의 직류와 교류 전압을 계산하고 측정하는 것이다. 이 실험을 통해 달링턴 BJT의 전류이득과 캐스코드 증폭기의 동작 원리를 이해하고, 실험을 통해 특성을 확인할 수 있다.달링턴 BJT는 하나의 BJT의 입력저항보다 더 큰 입력저항을 가지고 전류이득이 크기 때문에 많이 사용된다. 달링턴 회로의 전체 전류이득은 두 BJT의 개별 전류이득의 곱으로 나타낼 수 있다. 캐스코드 증폭기는 공통 소스 증폭기보다 높은 전압 이득을 얻을 수 있어서 널리 ...2024.09.13
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전자회로실험 공통소오스 증폭기2024.09.121. 공통 소오스 증폭기 실험 1.1. 실험 목적 및 개요 이 실험의 목적은 MOSFET을 이용한 공통 소오스 증폭기의 동작 원리를 이해하고, 실험을 통해 특성을 측정하는 것이다. 공통 소오스 증폭기는 게이트가 입력 단자, 드레인이 출력 단자, 소오스가 공통 단자인 증폭기로서 높은 전압 이득을 얻을 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 소오스 증폭기의 입력 출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구해본 다음, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 즉, 공통 소오스 증...2024.09.12
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소신호 소스 공통 FET 교류증폭기 실험2024.10.061. 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기 1.1. 실험 개요 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기 실험의 목적은 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기의 동작원리를 이해하고, 직류 및 교류 파라미터를 측정하여 실제 이론값과 비교 고찰하며, 증폭기의 전압이득에 영향을 미치는 파라미터들에 대해 분석하는 것이다. 이를 통해 소신호 소스 공통 FET 교류증폭기의 동작 특성과 증폭기 설계 시 고려해야 할 요소들을 파악할 수 있다. 특히 이번 실험에서는 JFET 대신 MOSFET에 대한 원리와 이론 내용을 중점적으로 다루고자 한다. MOSFET...2024.10.06
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전자회로 실험 17장2024.10.221. 공통 이미터 트랜지스터 증폭기 1.1. 이론 개요 1.1.1. 공통 이미터(common-emitter, CE) 트랜지스터 증폭기 공통 이미터(common-emitter, CE) 트랜지스터 증폭기는 널리 이용되는 회로이다. 이 회로는 일반적으로 10에서 수백에 이르는 큰 전압 이득을 얻을 수 있고, 적절한 입력과 출력 임피던스를 제공한다. CE 트랜지스터 증폭기는 베이스-이미터 접합에 입력 신호를 인가하고 컬렉터-이미터 단자 사이에서 증폭된 출력 신호를 얻는 구조이다. 트랜지스터의 베이스와 컬렉터가 공유되는 것이 특징이다. ...2024.10.22
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소오스 팔로워2024.10.281. 소오스 팔로워 증폭기 1.1. 실험 개요 이번 실험에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중 하나인 소오스 팔로워 증폭기에 대해 실험하고자 한다. 소오스 팔로워 증폭기는 출력 임피던스가 작기 때문에 작은 부하 저항을 구동하는데 자주 사용되는 회로이다. 이번 실험에서는 소오스 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 특히 소오스 팔로워의 전압 이득이 1에 가깝다는 특성을 확인하고, 이를 전압 버퍼로써 활용하는 방법에 대해 알아볼 예정이다. 1.2. 실험 기자재 ...2024.10.28
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서강대학교 고급전자회로실험 레포트2024.10.051. MOSFET 바이어스 회로 및 차동 증폭기 1.1. 정전류원 회로 1.1.1. 전류 변화에 따른 바이어스 전압 측정 실험에서는 정전류원 회로에서 전류 변화에 따른 게이트 전압 VbG의 변화를 측정하였다. 정전류원 회로는 MOSFET에 일정한 전류를 공급하는 역할을 하며, 바이어스 회로의 기본 구성요소이다. 실험에서는 MOSFET의 드레인 전압 VX를 6V로 고정하고, 기준 저항 RREF를 50Ω에서 450Ω까지 변화시키면서 기준 전류 IREF를 측정하였다. 그 결과, IREF가 약 20mA가 되는 RREF 값은 200Ω인...2024.10.05
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공통베이스증폭기2024.10.071. 공통 베이스 증폭기 1.1. 실험 목적 공통 베이스 증폭기 실험의 목적은 두 가지이다. 첫째, 공통베이스 소신호 증폭회로의 동작을 이해하는 것이다. 둘째, 공통베이스 소신호 증폭기의 부하저항의 변화에 따른 출력전압, 즉 전압이득의 변화를 관찰하는 것이다. 공통베이스 증폭기는 공통 이미터 증폭기에 비해 입력 임피던스가 매우 작다는 특성을 가지고 있다. 따라서 이 특성을 활용하여 작은 임피던스를 갖는 소자 또는 회로와의 임피던스 매칭이 쉽게 이루어질 수 있다. 이러한 특성은 고주파 신호 전송 시스템에서 중요한 역할을 한다. ...2024.10.07
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