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중앙대 전기회로설계실습 6주차 예비보고서2024.09.191. 계측장비 및 교류전원의 접지상태 측정방법 설계 1.1. 목적 측정에 의해 DMM, Oscilloscope와 Function Generator의 접지상태, 즉 내부연결 상태와 입력저항을 유추하는 방법을 설계하고 이를 이용하여 계측장비의 정확한 사용법을 익히는 것이 이번 실험의 목적이다."" 1.2. 실습준비물 1.2.1. 기본 장비 및 선 기본 장비 및 선은 다음과 같다. Function generator: 1대, DC Power Supply(Regulated DC Power supply(Max 20 V 이상): 1대, Di...2024.09.19
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핵심이 보이는 전자회로2024.10.091. 증가형 MOSFET의 바이어스 회로 1.1. N-채널 MOSFET의 전압분배 바이어스 회로 N-채널 MOSFET의 전압분배 바이어스 회로는 저항 R1과 R2로 전원전압 VDD를 분배하여 게이트 바이어스 전압 VG를 생성한다. 이 회로에서 드레인 전류 ID는 드레인-소스 전압 VDS에 의해 결정되며, 게이트-소스 전압 VGS가 일정하게 유지된다. 드레인 전류 ID는 MOSFET의 특성에 따라 VDS에 비례하다가 일정 전압 이상에서 포화되는 특성을 보인다. 전압분배 바이어스 회로에서 드레인 저항 RD가 동작점에 미치는 영향을...2024.10.09
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SILVACO2024.10.121. 반도체 공정 설계 1.1. BJT 설계 1.1.1. 설계 주제 BJT 설계 주제는 Process Simulator ATHENA와 Device Simulator ATLAS를 이용하여 BJT 소자를 설계하고, BJT 소자에 대한 이해를 바탕으로 npn BJT 공정을 통해 CB 및 CE mode 출력 특성을 확인하는 것이다. BJT(Bipolar Junction Transistor)는 다수 캐리어와 소수캐리어가 공존하며 전자와 홀이 함께 전류를 만들기 때문에 Bipolar 트랜지스터라고 한다. 구조는 에미터, 베이스, 콜렉터...2024.10.12