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반도체공정실습2024.11.071. 반도체 공정 실습 1.1. 웨이퍼 준비 1.1.1. 웨이퍼의 종류 웨이퍼는 p형과 n형이 있으며 결정 방향에 따라 (0 0 1)부터 (1 1 1)로 나뉜다. 채널의 종류, 도핑 타입, 도핑 농도에 따라 저항 특성이 달라지며 결정 방향에 따라 면밀도 차이로 인해 특성이 변화한다. 예를 들어 (1 1 1) 방향의 웨이퍼는 (0 0 1) 방향에 비해 면밀도가 더 높아 전자의 이동도가 좋다. 이처럼 웨이퍼의 결정 방향은 소자의 성능에 중요한 영향을 미치므로, 공정 시 이를 고려해야 한다. 1.1.2. 웨이퍼 클리닝 공정 웨이퍼 클...2024.11.07
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반도체 공정2024.09.021. 반도체 공정의 이해 1.1. 웨이퍼 제조 웨이퍼는 실리콘(Si)을 단결정기둥(ingot)으로 성장시켜 절단 후 연마하여 만들어진 것이다. 웨이퍼는 실리콘, 갈륨 아세나이드(GaAs) 등의 단결정 원판을 의미하며, 이 중 실리콘 웨이퍼가 가장 많이 사용된다. 실리콘을 사용하는 이유는 실리콘이 흔하고 경제적으로 저렴하며 독성이 없어 인체에 무해하기 때문이다. 웨이퍼 제조 공정의 첫 단계는 실리콘(폴리실리콘) 원료를 녹여 고순도의 실리콘 용액을 만드는 것이다. 이 용액을 결정 성장시켜 단결정의 실리콘 잉곳을 얻는다. 반도체용 잉...2024.09.02