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진공 펌프의 종류와 원리2024.10.071. 진공과 박막 1.1. 진공의 정의와 측정 진공이란 원래 라틴어로 'vacua', 즉 기체(물질)가 없는 공간의 상태를 의미하여 이런 이상적인 진공 상태일 때 기압(압력)은 0이 된다. 하지만 실제로 이렇게 완전한 진공 상태의 제작은 불가능하다. 우주 공간의 경우도 미약하지만 물질의 입자들이 계속 움직이고 있기 때문에 기압이 지구상의 대기압의 약 10의 17승 분의 1정도는 된다. 정확하게 말하자면 공간의 기체 압력이 대기압(1기압)보다 낮은 상태, 즉 분자의 수가 1㎠ 내에 약 2.69 × 10^19개 이하인 상태를 의미한다...2024.10.07
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신소재프로젝트3 광전자2024.11.111. 서론 1.1. CZTSSe 태양전지 개요 CZTSSe 태양전지는 지구에 풍부하고 무해한 원소로 구성된 광 흡수층 재료로 높은 광 흡수계수와 조절 가능한 밴드갭 (1.0 ~ 1.5 eV)을 가지고 있어 박막 태양전지로 많은 연구가 진행되고 있다. CZTSSe의 기원은 카드뮴 텔루라이드 (CdTe)인 이원계 Ⅱ-Ⅵ 화합물이다. CZT(S,Se)는 I2-II-IV-VI4 4성분계 화합물 구조를 가지는 CZTS(Cu2ZnSnS4), CZTSe(Cu2ZnSnSe4), CZTSSe(Cu2ZnSn(SxSe4-x))를 의미한다. CZTS는...2024.11.11
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반도체공정실습2024.11.071. 반도체 공정 실습 1.1. 웨이퍼 준비 1.1.1. 웨이퍼의 종류 웨이퍼는 p형과 n형이 있으며 결정 방향에 따라 (0 0 1)부터 (1 1 1)로 나뉜다. 채널의 종류, 도핑 타입, 도핑 농도에 따라 저항 특성이 달라지며 결정 방향에 따라 면밀도 차이로 인해 특성이 변화한다. 예를 들어 (1 1 1) 방향의 웨이퍼는 (0 0 1) 방향에 비해 면밀도가 더 높아 전자의 이동도가 좋다. 이처럼 웨이퍼의 결정 방향은 소자의 성능에 중요한 영향을 미치므로, 공정 시 이를 고려해야 한다. 1.1.2. 웨이퍼 클리닝 공정 웨이퍼 클...2024.11.07
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IGZO2024.11.261. 박막 트랜지스터(TFT)의 기본 구조와 특성 1.1. TFT의 개념과 종류 1.1.1. a-Si TFT a-Si TFT는 비정질 실리콘(amorphous silicon, a-Si)을 반도체층으로 사용하는 박막 트랜지스터이다. a-Si TFT는 기존 결정질 실리콘(crystalline silicon, c-Si) 기반의 트랜지스터에 비해 제조 공정이 단순하고 대면적 제작이 용이하다는 장점으로 인해 LCD 패널의 주요 구동소자로 주목받아 왔다. a-Si TFT는 단순한 구조와 제조 공정으로 인해 낮은 제조 단가의 장점이 있지만...2024.11.26
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ito 합성 실험2024.08.221. 서론 1.1. 투명전극재료의 중요성 투명전극재료는 다양한 디스플레이와 태양전지 등의 소자에서 투명전극으로 사용되는 중요한 물질이다. 이러한 투명전극재료는 가시광 영역에서 80% 이상의 광투과도와 10^3 /Ω·cm 수준의 높은 전기전도도를 갖추어야 한다. 특히 ITO(Indium-Tin Oxide) 박막은 낮은 저항과 강산에 의한 뛰어난 에칭 특성으로 디스플레이용 투명전도막 수요의 90% 이상을 차지하고 있다. ITO 박막은 공통전극과 화소전극에 사용되며, 최근 주목받고 있는 OLED(Organic Light Emitti...2024.08.22