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NPN BJT의 에너지밴드다이어그램, 위치에 따른 전압, 전계, 전하그래프2024.10.201. 반도체 p-n 접합 1.1. p-n Junction의 정성적 설명 반도체 p-n 접합의 형성 원리를 정성적으로 설명하면 다음과 같다. 반도체 내부에서의 불순물의 종류와 비율에 따라 P형과 N형으로 나뉘게 되는데, 이들을 접합시킨 것이 p-n 접합이다. 이 p-n 접합은 p-n 다이오드로서 쓰이게 되는데, 그 이유는 p-n 접합 상태에서 외부 전압 V를 인가하게 되면 한쪽에서는 전류가 잘 흐르지만 다른 쪽에서는 전류가 잘 흐르지 못하는 정류작용이 나타나기 때문이다. 이러한 특성이 다이오드로서 사용하기에 적절한 조건이 된다....2024.10.20
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JFET 특성 결과보고서2024.11.131. JFET 특성 실험 1.1. 실험 개요 이 실험은 JFET 트랜지스터의 출력 특성, 전달 특성 등을 측정하고 분석하는 것이 목적이다. 먼저 포화전류 IDSS와 핀치 오프 전압(Pinch-off Voltage) VP를 측정한다. 이를 위해 VGS를 0V로 두고 VDS를 증가시키면서 전류를 측정하여 IDSS를 구한다. 그리고 VR값이 1mV로 떨어질 때까지 VGS를 감소시켜 VP를 찾는다. 다음으로 출력 특성 실험에서는 VGS 값을 변화시키며 VDS와 ID의 관계를 측정한다. 마지막으로 전달 특성 실험에서는 VDS 값을 변화시키...2024.11.13
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전자공학2024.09.091. 트랜지스터 특성 관찰 1.1. 바이폴라 트랜지스터의 특성 관찰 바이폴라 트랜지스터의 특성 관찰은 오실로스코프를 이용하여 트랜지스터의 입출력 특성을 직접 관찰하는 실습이다. 먼저, 브레드보드에 회로를 구성하고 오실로스코프 ch.1로 베이스-에미터 간 전압 파형을, ch.2로 콜렉터 전류를 나타내는 전압 파형을 각각 관찰한다. 이 때 1V의 전압이 몇 mA의 콜렉터 전류를 나타내는지 확인한다. 다음으로 오실로스코프를 XY 모드로 놓아 트랜지스터의 특성곡선을 디스플레이한다. 이 특성곡선은 Si 다이오드의 전압-전류 특성곡선과...2024.09.09