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핵심이 보이는 전자회로2024.10.091. 증가형 MOSFET의 바이어스 회로 1.1. N-채널 MOSFET의 전압분배 바이어스 회로 N-채널 MOSFET의 전압분배 바이어스 회로는 저항 R1과 R2로 전원전압 VDD를 분배하여 게이트 바이어스 전압 VG를 생성한다. 이 회로에서 드레인 전류 ID는 드레인-소스 전압 VDS에 의해 결정되며, 게이트-소스 전압 VGS가 일정하게 유지된다. 드레인 전류 ID는 MOSFET의 특성에 따라 VDS에 비례하다가 일정 전압 이상에서 포화되는 특성을 보인다. 전압분배 바이어스 회로에서 드레인 저항 RD가 동작점에 미치는 영향을...2024.10.09
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J-fet 증폭기2024.11.111. FET 증폭기 1.1. 결과 1.1.1. 회로실험 결과 회로실험 결과는 다음과 같다. 표24-1에 나타난 바와 같이 입력전압이 97.65 mV일 때 출력전압이 395.14 mV로, 전압이득(Av)은 4.04 [V/V]로 측정되었다. 표24-2를 통해 부하저항 RD가 4.7 kΩ일 때 출력전압이 711.99 mV로, 전압이득(Av)이 7.29 [V/V]임을 확인하였다. 또한 RD가 680 Ω일 때 출력전압은 128.77 mV이고 전압이득(Av)은 1.31 [V/V]로 나타났다. 표24-3에서는 게이트 저항 RG가 1...2024.11.11