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트렌지스터 증폭2024.11.111. 트랜지스터의 특성 1.1. 트랜지스터의 3가지 영역 트랜지스터의 3가지 영역은 차단영역, 활성영역, 포화영역이다. 차단영역에서는 트랜지스터 베이스-이미터 전압(VBE)이 0.6V 이하로 작아 트랜지스터가 차단되어 전류가 흐르지 않는다. 따라서 콜렉터 전압(VCE)이 전원전압(VCC)에 가깝게 유지된다. 활성영역에서는 VBE가 약 0.6V 부근으로 증폭작용이 이루어진다. 이때 VCE는 일정한 범위 내에서 변한다. 포화영역에서는 VBE가 0.6V를 넘어 트랜지스터가 완전히 켜져 VCE가 거의 0V에 가깝게 된다. 이 영역에서 트...2024.11.11
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2단 공통 소스 증폭기 결과보고서2024.12.171. Common-Source Amplifier Common-Source Amplifier는 MOSFET 증폭기의 기본적인 구조로, 게이트와 소스가 공통 연결된 형태이다. 이 증폭기는 단일 단 증폭기로 사용되거나 다단 증폭기의 기본 블록으로 활용된다. Lab 1. CE Stage DC Transfer 특성 실험에서는 Tinkercad를 이용하여 CE Stage 회로를 설계하고, 입력 전압 Vgs를 0~5V 범위에서 변화시키며 Vds, Id 등의 변화를 관찰하였다. 그 결과, Vgs가 2.7V 부근에서 가장 큰 기울기를 가지는 것을...2024.12.17
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전자회로 실험 10장2025.04.041. 실험 개요 1.1. MOSFET 증폭기의 동작점 MOSFET 증폭기를 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 필요하다. 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 증폭기의 동작점을 잡아주기 위해서는 바이어스 회로가 필요하다. 전압 분배 바이어스 회로와 다이오드 연결 바이어스 회로는 대표적인 MOSFET 증폭기의 바이어스 회로 구성 방식이다. 전압 분배 바이어스 회로에서는 저항 분배기를 통해 게이트 전압을 원하는 값으로 설정할 수 있다....2025.04.04