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A Solid Electrolyte, Cu2HgI4 예비2024.09.181. 실험 개요 1.1. 실험 제목 및 날짜 "실험 제목은 'A Solid Electrolyte, Cu2HgI4'이며, 실험 날짜는 제공된 문서에 기재되어 있지 않다." 1.2. 실험 목적 실험의 목적은 Copper(I) tetraiodomercurate(II), Cu2HgI4를 합성하고 열에 의한 상변화로 인해 색과 전기 전도성의 변화를 확인하는 것이다. 2. 실험 이론 2.1. 고체 전해질 고체 전해질은 고체 상태에서 이온의 이동에 의하여 전류가 흐를 수 있는 물질이다. 금속이나 용액 상태의 전해질에 비해 전도도가 낮지만, ...2024.09.18
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Hydrogen insertion into WO2024.10.071. 실험개요 1.1. 실험명 및 실험기간 실험명은 "Hydrogen insertion into WO₃"이며, 실험기간은 2021년 00월 00일이다. 1.2. 실험목적 양성자를 삼산화텅스텐 고체에 환원적으로 삽입하고 색상과 전도도에 미치는 영향을 관찰하는 것이 이번 실험의 목적이다."" 2. WO3의 구조와 특성 2.1. WO3의 결정구조 WO3의 결정구조는 WO3의 팔면체로 이루어져 있으며, 각 모퉁이들이 서로 맞닿아 만들어지는 구조이다. 이를 코너- 및 엣지- 쉐어링이라 한다. 코너-쉐어링을 통해 만들어지는 상들은 단사정 ...2024.10.07
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quantum dots2024.10.291. 개요 1.1. 양자점의 개념과 원리 양자점(Quantum dot)은 반도체 물질을 나노미터 크기로 합성한 것으로, 크기에 따라 독특한 광학적 특성을 나타내는 물질이다. 양자점은 물질의 에너지 밴드갭이 크기에 따라 변화하는 양자구속효과(Quantum confinement effect)를 보인다. 양자점은 일반적인 벌크 반도체 물질과 달리 불연속적인 에너지 준위를 지니고 있다. 벌크 반도체의 전자는 연속적인 에너지 밴드를 형성하지만, 나노미터 크기의 양자점에서는 전자의 움직임이 공간적으로 제한되어 불연속적인 에너지 준위를 가...2024.10.29
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반도체 이론 레포트2024.11.111. 산화물 반도체 기술 1.1. 산화물 반도체의 정의, 장단점 및 활용 가능한 영역 산화물 반도체는 금속 양이온과 산소 음이온의 이온결합으로 이루어진 화합물 반도체이다. 산화물 반도체의 전도대의 최저점(Conduction Band Minimum, CBM)의 주 구성 요소는 주로 산화물 반도체를 구성하는 금속들의 s오비탈인 반면에 가전자대의 최대점(Valence Band Maximum, VBM)은 주로 산소의 p오비탈들로 이루어져 있다. 대부분의 산화물 반도체는 비정질임에도 불구하고 높은 전자 이동도(>10cm2/Vs)를 나타내...2024.11.11
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Y2O3Eu2024.12.091. 형광체 개요 1.1. 발광 현상 발광 현상은 물질이 전자파나 열, 마찰에 의하여 에너지를 받아 여기되어, 그 받은 에너지로 특정 파장의 빛을 방출하는 현상을 말한다"" 입사 복사선의 종류에 따라 photoluminescence, chemiluminescence, electroluminescence, thermoluminescence로 구분된다"" 발광의 종류 중 형광(fluorescence, FL)과 인광(phosphorescence)이 대표적이다"" 형광은 여기원에서 에너지의 공급을 끊자마자 발광도 멈추는 반면, 인광은 잔...2024.12.09
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SiC, GaN2024.09.011. 화합물 반도체 개요 1.1. 화합물 반도체의 정의 및 종류 화합물 반도체는 결정이 두 종류 이상의 원소 화합물로 구성되어 있는 반도체이다. 갈륨-비소(GaAs), 인듐-인(InP), 갈륨-인(GaP) 등의 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체, 황화카드뮴(CdS), 텔루르화 아연(ZnTe) 등의 Ⅱ-Ⅵ족, 황화연(PbS) 등의 Ⅳ-Ⅵ족 화합물 반도체가 있다. 실리콘이나 게르마늄 같은 단체(單體) 반도체와는 달리, 화합물 반도체는 발광소자(전류를 흘리면 빛이 나는 소자)를 만들 수 있으며, 레이저도 만들 수 있다. 또 전자 이동도가 커서, ...2024.09.01