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면저항 측정2024.09.211. 도체와 반도체의 면저항 측정 1.1. 실험 목적 이 실험의 목적은 비저항, 면저항 등의 개념을 확실히 알고, 서로 다른 시편의 면저항을 측정한 후 각각의 시편의 면저항이 왜 다른지 생각해보고 어떤 재료를 사용하여 설계하고자 할 때 가장 적합한 재료를 선택할 수 있는 능력을 키우는데 있다. 또한 박막형태의 재료들의 면저항을 측정해보고, 재료의 전기적 특성을 분석해 다양한 공학 분야에 적용시켜 이용하기 위함이다. 1.2. 이론적 배경 1.2.1. 면저항 및 비저항 면저항은 단위 ohm/sq로 표시되며, 여기서 sq는 ㅁ로도 표...2024.09.21
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반도체 금속의 전기적 특성 측정 실험2024.10.051. 반도체 소자 특성 분석 1.1. 표면 morphology 분석 표면 morphology 분석은 반도체 소자의 특성을 파악하는데 중요한 역할을 한다. 주사전자현미경(SEM)을 이용하여 반도체 소자의 표면 형상을 관찰하고 분석할 수 있다. 본 실험에서는 SEM 이미지 분석을 통해 시료의 표면 형상과 그레인 크기를 확인하였다. SEM 이미지 분석 결과, 시료의 표면에는 많은 알갱이(grain)들이 형성되어 있었다. 화면상에서 100nm에 해당하는 길이가 2.8cm로 측정되었으므로, 이를 통해 각 알갱이의 크기를 계산할 수 있었다...2024.10.05
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반도체공정실습2024.11.071. 반도체 공정 실습 1.1. 웨이퍼 준비 1.1.1. 웨이퍼의 종류 웨이퍼는 p형과 n형이 있으며 결정 방향에 따라 (0 0 1)부터 (1 1 1)로 나뉜다. 채널의 종류, 도핑 타입, 도핑 농도에 따라 저항 특성이 달라지며 결정 방향에 따라 면밀도 차이로 인해 특성이 변화한다. 예를 들어 (1 1 1) 방향의 웨이퍼는 (0 0 1) 방향에 비해 면밀도가 더 높아 전자의 이동도가 좋다. 이처럼 웨이퍼의 결정 방향은 소자의 성능에 중요한 영향을 미치므로, 공정 시 이를 고려해야 한다. 1.1.2. 웨이퍼 클리닝 공정 웨이퍼 클...2024.11.07
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4-point probe 박막측정 면저항 실험2024.10.111. 4-Point Probe 박막측정 실험 1.1. 4-Point Probe에 대해 1.1.1. 4-Point Probe의 정의 4-Point Probe는 안쪽 두 점 사이의 전압과 바깥쪽 두 점 사이의 전류를 측정하여 박막(thin layer) 및 시트(sheet)의 저항치를 측정하는 계측기이다. 즉, 4개의 탐침을 일정한 간격으로 배열하여 외부 두 탐침에 전류를 흘려주고 내부 두 탐침에서 전압을 측정함으로써 박막의 면저항을 구할 수 있는 장치라고 할 수 있다. 1.1.2. 4-Point Probe의 간단한 적용 4-Poin...2024.10.11
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신소재프로젝트1 광전자2024.09.101. 결정구조 1.1. 결정질과 비결정질 재료의 차이 결정질과 비결정질 재료의 차이는 재료를 구성하는 원자나 분자의 배열 규칙성에 있다. 결정질 재료는 그 물질을 구성하는 원자나 분자가 규칙적으로 배열되어 있고, 일정하고 특이한 내부 구조를 가지고 있다. 반면 비결정질 재료는 원자나 이온들의 배열이 규칙적이지 않고 불규칙적이며 규칙성이 없다. 결정질 재료에는 단결정과 다결정이 있다. 단결정은 오직 하나의 결정으로만 된, 즉 재료 한 덩어리 전체에서 원자의 패턴이 모두 동일한 재료이다. 반면 다결정은 같은 결정질 재료지만 덩어리...2024.09.10