1. 반도체 제조 공정 1.1. 웨이퍼 제조 웨이퍼는 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 만든 단결정 기둥을 적당한 두께로 얇게 자른 원판이다. 웨이퍼 제조 공정은 다음과 같다. 실리콘 원료(Poly Silicon)를 뜨거운 열로 녹여 고순도의 실리콘 용액을 만들고, 이를 결정 성장시켜 굳히는 과정을 통해 단결정의 Si 잉곳을 얻는다. 반도체용 잉곳은 실리콘 잉곳 중에서도 초고순도의 잉곳을 사용한다. 잉곳 표면을 다듬은 후 다이아몬드 톱을 이용해 균일한 두께로 얇게 자르는 작업을 거쳐 웨이퍼의 크기를 결...