
총 37개
-
전자회로 설계 및 실습 결과보고서: MOSFET Current Mirror 설계2025.05.141. Current Mirror Current Mirror는 트랜지스터를 전류원으로 이용하여 같은 크기의 전류를 계속해서 만들어내는 회로입니다. 이번 실험에서는 단일 Current Mirror와 Cascode Current Mirror를 설계하고 측정하여 그 특성을 확인하였습니다. 2. 단일 Current Mirror 첫 번째 실험에서는 단일 Current Mirror 회로를 구현하고 측정하였습니다. 실험 결과 MOSFET을 이용해 회로를 설계하면 동일한 전류(Io)가 흐르는 것을 확인할 수 있었습니다. 또한 ΔVo ≡ Io·ΔRo...2025.05.14
-
중첩의 원리 실험2025.05.161. 선형성(Linearity) 선형성(Linearity)은 비례성(homogeneity property)과 가산성(additivity property)으로 구성됩니다. 선형회로에서만 적용 가능한 중첩(Superposition)의 원리는 하나 이상의 독립 전원이 있을 때, 전체 회로의 동작이 모든 독립 전원이 하나씩 동작할 때의 결과를 합친 것과 같다는 것을 의미합니다. 2. 중첩의 원리 적용 중첩의 원리를 적용하기 위해서는 하나의 소스를 제외하고 모든 독립전원을 끄고, 각각 다른 독립전원에 1의 내용을 반복한 뒤 독립전원에 의한 ...2025.05.16
-
응용물리회로실험 - Transistor EF and Impedance2025.05.071. 이미터 폴로어 (Emitter Follower) 이미터 폴로어는 공통 컬렉터 증폭기라고도 불리며, 입력은 베이스에 용량성 결합되고 출력은 이미터에서 나온다. 이미터 폴로어의 특징은 전압 이득이 약 1, 높은 입력 임피던스, 낮은 출력 저항, 그리고 동위상 특성을 가진다. 2. 입력 임피던스 (Input Impedance) 이미터 폴로어는 높은 입력 저항 특성을 가지므로 회로에 유용하게 사용된다. 공통 컬렉터 증폭기의 베이스 쪽 입력 저항은 공통 이미터 증폭기와 유사하게 유도되지만, 이미터 저항은 출력을 양단에서 얻기 때문에 결...2025.05.07
-
중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습 신호 발생기2025.05.101. Wien bridge 신호발생기 설계 및 제작 이번 실험에서는 일정한 주파수와 위상, 크기를 가진 주기 함수를 발생시키는 신호 발생기를 설계하였다. Op amp에 인가되는 저항의 크기로 원하는 주파수와 gain을 설정하고, 다이오드를 연결하여 왜곡이 덜 발생하는 회로를 구성하였다. 첫 번째 실험으로 다이오드를 추가하지 않은 신호발생기에서는 발진 주파수가 1.667kHz가 나왔고, 두 번째 실험으로는 다이오드를 추가한 안정된 신호발생기는 발진주파수가 1.613 kHz가 나왔다. 첫 번째, 두 번째 실험의 출력파형을 비교해보고, ...2025.05.10
-
[A+보고서] Floyd 회로이론실험 결과레포트_ 7 전압분배기2025.05.131. 전압 분배기 설계 및 실험 이 보고서는 전압 분배기 회로를 설계하고 실험을 통해 검증하는 내용을 다루고 있습니다. 실험 목적은 직렬 저항 회로에서 전압 분배 법칙을 적용하고, 원하는 출력 전압이 나오도록 전압 분배기를 설계하며, 실험으로 이를 확인하는 것입니다. 또한 전압 분배기에서 가변 저항으로 조정할 수 있는 전압 범위를 구하는 것도 포함됩니다. 실험 과정에서 저항 값 측정, 직렬 연결 회로 구성, 전압 측정 등을 수행하였고, 이를 통해 전압 분배 법칙의 적용, 원하는 출력 전압 구현, 가변 저항을 이용한 전압 범위 확인 ...2025.05.13
-
[A+보고서] Floyd 회로이론실험결과레포트_ 20 커패시터2025.05.131. 커패시터 커패시터는 도체 두 개가 절연체를 사이에 두고 갈라져 마주 보는 형태로, 이 두 도체 사이에 전압이 가해지면 도체에는 전하(electric charge)가 모이게 된다. 이렇게 전하를 저장하는 능력이 커패시터의 기본 성질이다. 커패시터의 도체는 판(plate)이라고 하고, 절연체를 유전체(dielectric)라고 한다. 도체 판이 넓을수록, 두 도체 판 사이의 틈이 좁을수록 전하를 저항하는 능력인 커패시턴스가 커진다. 커패시터로 흐르는 전하는 커패시터의 전압의 크기가 전압 원의 전압과 같아질 때까지 쌓인다. 즉, 커패...2025.05.13
-
[A+]floyd 회로이론 예비레포트_13 휘트스톤 브리지(LTspice 시뮬레이션)2025.05.131. 휘트스톤 브리지 휘트스톤 브리지는 미지 저항의 크기를, 그 값을 알고 있는 표준저항과 정확하게 비교할 수 있기 때문에 계측 응용에 주로 사용되는 회로이다. 미지 저항값은 주로 스트레인 게이지 같은 변화기를 나타내게 되는데 이것은 자극받으면 저항값이 아주 작게 변한다. 2. 테브낭 정리와 부하저항 테브낭 정리를 사용하여 브리지의 부하저항에 흐르는 전류를 구할 수 있다. 부하저항을 제거하고 전압 원을 단락시켜서 테브낭 저항을 구한다. 이때 전압 원이 단락되면서 저항들이 병렬 연결되는 것을 알 수 있다. 테브낭 전압은 부하가 없을 ...2025.05.13