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기초전자실험 - 24장 전류원 및 전류 미러 회로2025.04.301. 전계효과 트랜지스터 (JFET) JFET는 전압을 증폭시키는 트랜지스터로, 유니폴라 소자이며 한 종류의 캐리어에 의해 전류가 형성된다. JFET는 BJT보다 온도적으로 더 안정되어 있어 트랜지스터의 손상 위험이 큰 직접회로에 많이 사용된다. JFET의 특성으로는 V_GS=0V, V_DS>0일 경우 n채널의 내부 전자들이 양의 전위인 드레인쪽으로 이동하여 소스방향으로 전류가 흐르며, V_GS<0V일 경우 소스쪽의 공핍영역이 커져 n채널의 전자흐름을 방해하여 전류량이 0A가 된다. 2. 전류원 전류원은 부하의 조건에 상관없이 항상...2025.04.30
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
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[기초전자실험 with pspice] 06 키르히호프의법칙 결과보고서 <작성자 학점 A+>2025.04.281. 키르히호프의 전압 법칙 실험 결과에 따르면 키르히호프의 전압 법칙이 잘 성립하였다. 전체 저항의 이론값과 측정값이 매우 유사하였고, 병렬 저항의 이론값과 측정값도 거의 비슷하였다. 또한 출력전압 5V와 10V를 인가했을 때 각 소자에 걸린 전압의 합이 공급된 전압과 매우 유사한 것으로 나타났다. 이는 키르히호프 전압 법칙에 따라 폐회로에서 전원장치가 공급한 전압은 각 소자에 걸린 전압의 합과 같다는 것을 보여준다. 2. 키르히호프의 전류 법칙 실험 결과에 따르면 키르히호프의 전류 법칙도 잘 성립하였다. 접속점 a와 b를 기준으...2025.04.28
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증폭기의 주파수 응답 특성2025.01.021. 공통 소스 증폭기의 주파수 응답 특성 공통 소스 증폭기의 입력-출력에 원하는 DC 전압 및 전압 이득이 나오게 하기 위해 DC 전류와 전류를 결정하여 회로를 구성했습니다. 입력 신호의 주파수를 변화시키면서 전압 이득의 변화를 측정하여 보드 선도를 그렸고, 이를 통해 3dB 대역폭을 구했습니다. 또한 이득 대역폭 곱을 계산하고, 이를 증가시키기 위한 방안으로 회로를 closed loop로 만드는 것을 제안했습니다. 2. 공통 소스 증폭기의 소신호 등가 모델 그림 [18-5]의 실험회로를 소신호 등가 모델을 사용하여 등가회로로 표...2025.01.02
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전자회로실험1 4번째 실험보고서2025.05.091. BJT 특성 실험 이 실험에서는 BJT 소자의 특성을 측정하고 분석하였습니다. 베타(β) 측정 실험을 통해 BJT의 베이스 전류 변화에 따른 컬렉터 전류 변화를 관찰하였고, 평균 베타 값을 약 230으로 측정하였습니다. 또한 VCE-IC 특성 곡선 실험을 통해 BJT의 컬렉터 특성 곡선을 실험적으로 결정하고 그래프로 나타내었습니다. 실험 결과 분석에서는 Early 효과로 인해 선형 근사 모델이 적합하지 않음을 확인하였고, 비선형 모델 적용이 필요함을 제안하였습니다. 1. BJT 특성 실험 BJT(Bipolar Junction ...2025.05.09
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아주대학교 A+전자회로실험 실험3 결과보고서2025.05.091. 미분기 회로 실험 1에서는 미분기 회로의 특성을 알아보고, 회로를 구성한 후 측정한 출력 값을 이론, 시뮬레이션 값과 비교하여 입/출력 전압 관계식을 검증하였다. 실험 결과 이론, 시뮬레이션 값과 비교했을 때 오차가 3%~7%정도로 크지 않았으며, 미분기의 입출력 관계식이 V_o = -R_F C dV_i/dt와 같음을 확인할 수 있었다. 또한 미분기가 차단주파수 이상의 고주파에서 반전증폭기로 동작하는 것도 관찰할 수 있었다. 2. 반전증폭기 실험 결과에서 미분기 회로가 차단주파수 이상의 고주파에서 반전증폭기로 동작하는 것을 확...2025.05.09
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아주대학교 A+전자회로실험 실험6 예비보고서2025.05.091. 삼각파 발생회로 실험 목적은 연산 증폭기를 사용한 슈미트 트리거 회로와 적분기를 연결하여 삼각파 및 구형파 발생 회로의 동작 원리를 배우고, 실제 실험을 통해 회로를 구현하여 발진 주파수 f_o를 측정하고 계산식으로 구한 값과 비교하여 이론식을 증명하는 것입니다. 삼각파 발생 회로는 슈미트 트리거 회로와 적분회로로 구성되며, 전원을 인가하면 A1의 출력 전압은 +- V_0,sat 크기의 구형파가 되고, A2는 적분 회로이자 부궤환 회로이므로 삼각파 특성을 갖게 됩니다. 이론적으로 주기는 T_0 = 4RC(R_2/R_1)이고 주...2025.05.09
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A+받은 차동증폭기 예비레포트2025.05.101. 차동 증폭기 차동 증폭기는 두 개의 입력을 가진 두 개의 트랜지스터와 두 개의 출력을 가지고, 좌우 대칭이며, 동일한 특성을 갖는 소자를 사용한다. 에미터 저항과 콜렉터 저항은 공통이며, 출력신호는 두 입력신호의 차이에 비례한다. 차동 증폭기는 공통 모드와 차동 모드로 동작할 수 있으며, 공통 모드에서는 출력이 0이 되고 차동 모드에서는 두 입력신호의 차이를 증폭한다. 단일 입력을 갖는 차동 증폭기와 차동 모드 입력을 갖는 차동 증폭기에 대해 설명하고 있다. 2. 차동 증폭기 실험 실험 1에서는 단일 입력을 갖는 차동 증폭기 ...2025.05.10
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전자회로실험 A+ 12주차 결과보고서(MOSFET Characteristics)2025.05.101. MOSFET 기본 구조 MOSFET의 기본 구조는 다음과 같습니다. Gate: Source 부분과 Drain 부분의 반도체를 연결시켜주는 Channel을 형성하게 하는 역할, Source: 트랜지스터로 특정 캐리어를 공급해주는 역할, Drain: Source에서 들어온 캐리어들을 채널을 통해 밖으로 이동시키는 역할, Body: Channel을 형성하기 위한 캐리어들을 보충해주는 역할(대부분 접지) 2. MOSFET 작동 원리 MOSFET의 작동 원리는 다음과 같습니다. 1. 전압이 인가되지 않은 상태에서 MOSFET은 동작하지...2025.05.10
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