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전자공학실험 17장 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 A+ 예비보고서2025.01.131. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 정전류원과 전류 거울을 이용한 능동 부하(active load)가 있는 공통 소오스 증폭기(common source amplifier) 회로를 구성하고, 이를 바탕으로 공통 소오스 증폭기의 전압 이득을 구하고자 한다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되고 있으며, 간단한 공통 소오스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 2. 소신호 등가회로 공통 소오스 증폭기 회로의 저주파 대역에서의 전압 이득을 구하기 위해 소신호 등가회로를 그리면 전압 이득은 A_{V0} =-g_...2025.01.13
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실험 14_캐스코드 증폭기 예비 보고서2025.04.271. 캐스코드 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 캐스코드 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 캐스코드 증폭기는 공통 소오스 증폭기보다 높은 전압 이득을 얻을 수 있어서 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 캐스코드 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가 회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구한 후, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 또한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서도 공부하고, 실험을 통하여 동작을 확인한다. 1. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기...2025.04.27
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전류원 및 전류 거울을 이용한 능동 부하 회로 구현2025.01.291. 전류원 전류원은 회로에 일정한 전류를 공급하는 역할을 한다. MOSFET 기반 전류원은 일반적으로 포화 영역에서 작동하며, 입력 전압의 변화와 관계없이 일정한 전류를 유지할 수 있다. 전류원 회로에서는 기준 저항 R_REF를 통해 기준 전류를 설정하고, 이 값이 MOSFET을 통해 고정된 전류로 공급된다. 2. 전류 거울 전류 거울은 하나의 기준 전류를 복사하여 다른 부분에 동일한 전류를 전달하는 역할을 한다. 전류 거울은 주로 두 개의 MOSFET으로 구성되며, 첫 번째 MOSFET에 흐르는 기준 전류 I_REF를 두 번째 ...2025.01.29
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[전자공학응용실험] 능동부하가 있는 공통 소스증폭기-예비레포트2025.04.261. 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기 이 실험에서는 정전류원 전류 거울을 이용한 능동 부하가 있는 공통 소스 증폭기 회로를 구성하고, 이를 바탕으로 공통 소스 증폭기의 전압 이득을 구하고자 한다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되고 있으며, 간단한 공통 소스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 2. 공통 소스 증폭기의 전달 특성 곡선 입력에 따라서 M1에 흐르는 전류와 부하에 흐르는 전류가 같아지는 출력을 구할 수 있고, 이를 통해 공통 소스 증폭기의 전달 특성 곡선을 구할 수 있다. 3. 공통 소...2025.04.26
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비4. MOSFET 소자 특성 측정 A+2025.01.271. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터시트를 이용하여 문턱전압 Vt와 전달 특성 계수 K를 구하였다. 문턱전압 Vt는 2.1V이며, 전달 특성 계수 K는 수식을 활용하여 계산한 결과 0.223 V/A^2이다. 또한 Vt=2.1V일 때 드레인 전류 Id를 계산하였고, 그 값은 45.6mA이다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD PSPICE를 이용하여 MOSFET 2N7000 회로도를 설계하였다. 게이트 전압 Vg를 0V에서 5V까지 0.1V 간격으로 변화시키며 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였다...2025.01.27
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전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 13 공통 게이트 증폭기)2025.01.291. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기 회로의 입력과 출력 특성, 전압 이득, 위상 반전 특성, 응용 분야 등을 설명하였다. 실험을 통해 R_D 값 변화에 따른 회로 성능 변화, 입력 전압 변화에 따른 출력 전압 특성, MOSFET의 동작 영역 변화 등을 확인하였다. 또한 전압 이득 측정 실험을 통해 공통 게이트 증폭기의 증폭 특성을 이해할 수 있었다. 2. MOSFET 특성 공통 게이트 증폭기에서 MOSFET의 트랜스컨덕턴스, 출력 저항 등 소신호 파라미터를 측정하고, 이를 이용하여 이론적인 전압 이득을 계산하였다. MOSF...2025.01.29
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다단 증폭기 실험 보고서2025.01.021. 2단 증폭기 실험회로 1에서 R1, R2, R3, R4, R5, R6을 고정하고 회로를 구성한 후, 공통 소스 증폭기 2 출력의 DC 값이 6V가 되도록 하는 값을 결정했습니다. 이 경우 M1의 각 단자들의 전압(VDS, VGS, VBS) 및 전류(ID, IG, IS)를 구하고, MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인했습니다. 포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 M1의 트랜스 컨덕턴스 값, 출력 저항 Rout을 구하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 이론적인 전압 이득을 계산했습니다. 입력에 10kHz의 0.01...2025.01.02
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이미터 공통 증폭기 결과보고서2025.01.021. 이미터 공통 증폭기 이번 실험에서는 이미터 접지 증폭기에서의 이미터, 베이스, 콜렉터 전압을 측정하고 이를 이용하여 트랜지스터에서 흐르는 전류의 값과 β, gm, rpi의 값을 계산할 수 있었다. 또한 입력과 출력 전압을 측정하여 입력과 출력 저항의 값을 계산할 수 있었다. 이러한 과정을 통하여 이미터 접지 증폭기의 입력 저항과 출력 저항의 개념을 잘 이해하게 된 것 같다. 출력 파형의 왜곡 현상을 관찰하여 회로가 포화상태에 도달하였는지, 차단 상태에 도달하였는지에 대하여 알아볼 수 있었다. 이번 실험에서는 그래프의 윗부분이 ...2025.01.02
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능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 예비보고서2025.04.271. 공통 소오스 증폭기 이 실험에서는 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 회로를 구성하고, 전압 이득을 구하고자 한다. 능동 부하는 아날로그 증폭기에서 널리 사용되며, 간단한 공통 소오스 증폭기에 적용함으로써 특성을 정확하게 파악할 수 있다. 2. 능동 부하 능동 부하는 PMOS 트랜지스터를 이용하여 구현한다. 입력에 따라 M1에 흐르는 전류와 부하에 흐르는 전류가 같아지는 출력을 구할 수 있고, 이를 통해 전달 특성 곡선을 얻을 수 있다. 3. 소신호 등가회로 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기의 저주파 대역에서의 전압 이득...2025.04.27
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BJT 기본 특성 결과보고서2025.04.281. BJT 동작점 및 바이어스 회로 BJT를 증폭기로 동작시키기 위해서는 적절한 DC 바이어스가 인가되어야 하며 이때의 DC 바이어스를 동작점 또는 Q점이라고 부른다. DC 바이어스는 증폭기의 전압 이득과 스윙을 결정하는 중요한 역할을 한다. 이 실험에서는 BJT를 이용한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해 알아보고, 실험을 통하여 동작을 확인하고자 한다. 2. BJT 전류-전압 특성 이 실험에서는 BJT의 기본 동작 원리를 파악하고, 전류-전압 특성을 실험을 통하여 파악하였다. BJT의 네 가지 동작 영역...2025.04.28
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