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서강대학교 22년도 전자회로실험 4주차 결과레포트 (A+자료)2025.01.121. 다이오드 리미터 다이오드 리미터 회로를 설계하고 동작을 확인했습니다. 직렬 리미터와 병렬 리미터 회로를 구성하여 입력 신호에 따른 출력 파형을 관찰했습니다. 다이오드의 턴온 전압이 출력에 영향을 미치는 것을 확인했고, 이론값과 실험값의 오차는 5% 미만으로 나타났습니다. 2. 다이오드 클램퍼 다이오드 클램퍼 회로를 구성하여 DC 전압이 더해지는 동작을 확인했습니다. 저항값에 따라 클램핑 효과가 달라지는 것을 관찰했고, 이론값과 실험값의 오차는 5% 미만이었습니다. 3. 반파 정류기 반파 정류기 회로를 구성하여 다이오드의 정류 ...2025.01.12
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Diode의 회로적 특성 실험_예비레포트2025.01.121. Diode의 회로적 특성 다이오드는 p-type과 n-type 반도체를 접합시켜 접합부에 diffusion 작용을 통해 Built-in potential이 형성되는 PN 접합 현상을 이용한 소자입니다. 다이오드는 정방향 전압 이상이 인가되면 급격한 전류 증가를 일으키는 특성이 있으며, 이를 통해 정류, 검파, 온도 센서 등 다양한 용도로 사용됩니다. 또한 Zener 다이오드는 역방향으로 전압을 걸면 일반 다이오드보다 낮은 특정 전압에서 역방향 전류가 흐르는 특성을 가지고 있습니다. 2. Diode의 회로적 모델링 다이오드는 다...2025.01.12
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에너지변환실험 A+레포트_555타이머2025.01.131. 555 타이머 IC 555 타이머 IC는 복잡한 회로를 구성하는 8핀 IC 칩으로, 주기적으로 신호를 계속 준다. 555 타이머를 사용하면 회로의 안전성을 높일 수 있다. 555 타이머의 내부 회로와 비안정 멀티바이브레이터 동작 특성을 이해할 수 있다. 2. 비안정 멀티바이브레이터 555 타이머를 이용한 비안정 멀티바이브레이터 회로에서 커패시터 전압 v_c에 따라 비교기 출력과 SR 플립플롭 출력이 결정된다. 커패시터 전압이 {V_cc}/3 미만일 때 SR 출력이 Low가 되어 트랜지스터가 차단되고 커패시터가 충전을 시작한다....2025.01.13
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전자회로실험_A+레포트_BJT Bias Circuit2025.01.131. BJT 자기 바이어스 회로 BJT의 자기 바이어스 회로의 특성을 알아보고 이해하는 실험입니다. NPN형 BJT 자기 바이어스 회로의 동작점 전류와 전압을 측정하고 그래프를 그려 이해하였습니다. 실험에서 이미터 저항을 변화시키며 전류와 전압을 측정하고 전류이득 β를 계산하였습니다. 키르히호프 법칙을 이용하여 동작점 전류와 전압을 계산하고 실험값과 비교하였습니다. 그래프를 통해 동작점이 활성영역에 있음을 확인하였습니다. 2. BJT 전압분배 바이어스 회로 NPN형과 PNP형 BJT 전압분배 바이어스 회로의 동작점 전류와 전압을 측...2025.01.13
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전자회로실험_A+레포트_증가형 MOSFET의 바이어스 회로2025.01.131. MOSFET MOSFET는 게이트(Gate), 소오스(Source), 드레인(Drain)의 3개 단자를 갖는다. 게이트 단자에 인가되는 전압의 극성과 크기에 따라 소오스와 드레인 사이의 전류흐름이 제어된다. 소오스는 전류를 운반하는 캐리어를 공급하고, 드레인은 소오스에서 공급된 캐리어가 채널 영역을 지나 소자 밖으로 방출되는 단자이다. 2. MOSFET 전압분배 바이어스 회로 저항 R1, R2로 전원전압 VDD를 분배하여 게이트 바이어스 전압 VGQ=VGSQ를 생성한다. MOSFET가 포화영역에서 동작하도록 바이어스된다면, 드...2025.01.13
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직렬 및 병렬 다이오드 구조 예비결과보고서2025.01.061. 다이오드 P형과 N형 반도체를 접합하여 만든 2극 반도체 소자인 다이오드에 대해 설명합니다. 다이오드의 구조와 작동 원리를 설명하고 있습니다. 순방향 전압을 인가하면 N형 반도체의 전자가 P형 반도체로 이동하고, 정공이 N형 반도체로 이동하여 전류가 흐르게 됩니다. 2. 직렬 및 병렬 다이오드 회로 직렬 또는 병렬로 연결된 다이오드 회로를 해석하고, 회로 전압을 계산하고 측정하는 실험에 대해 설명하고 있습니다. 이를 통해 다양한 다이오드 회로의 특성을 이해할 수 있습니다. 1. 다이오드 다이오드는 전자 회로에서 매우 중요한 반...2025.01.06
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전자전기컴퓨터설계실험1(전전설1) 멀티미터프로젝트2025.01.091. 저항 측정 본 실험은 Arduino Ohmmeter를 설계하고 이를 빵판에 구현해 실제 정전용량을 측정해보는 실험이다. 이번 실험에서 정전용량을 측정하기 위해 사용한 방법은 실험 설계방향에서 설명한 것과 같이 아두이노의 아날로그핀을 통해 커패시터가 시정수에 해당하는 전압까지 충전되는 시간을 측정하고 이를 저항값으로 나누어 정전용량을 얻을 수 있었다. 우선 실험실에 구비된 멀티미터를 활용하여 정전용량을 측정하고 본 실험에서 설계한 아두이노를 활용하여 정전용량을 측정하여 비교한 결과 오차율의 평균이 약 1.70% 정도 되는 매우 ...2025.01.09
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중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서10_Oscillator 설계2025.01.111. Oscillator 설계 설계실습 10. Oscillator 설계에서는 R1=R2=1kΩ, R=957Ω (설계값은 968.34Ω), C=0.47uF으로 Oscillator를 설계하고 이에 나타나는 VO, V+, V-의 파형을 확인하고 T1, T2, VTH, VTL을 측정하였으며 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비교해보았다. R1의 값을 1/2배, 2배로 감소, 증가시켜보며 즉, β값을 감소(β=0.333), 증가(β=0.666)시켜보며 나타나는 변화를 확인해 보았고 β가 감소, 증가함에 따라 T1, T2, VTH, VTL 또한 ...2025.01.11
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 3_Voltage Regulator 설계2025.01.111. 전자회로 설계 이 보고서는 전자회로 설계 실습의 일환으로 전압 레귤레이터 회로를 설계하는 과정을 다루고 있습니다. 주요 내용으로는 부하 저항, 리플 전압, 다이오드 저항 등의 요소를 고려하여 교류 입력 전원의 크기와 커패시터 값을 계산하는 과정, 그리고 PSPICE를 활용한 회로 분석 결과 등이 포함되어 있습니다. 2. 전압 레귤레이터 설계 이 보고서는 전압 레귤레이터 회로 설계에 대한 내용을 다루고 있습니다. 부하 저항, 리플 전압, 다이오드 저항 등의 요소를 고려하여 교류 입력 전원의 크기와 커패시터 값을 계산하는 과정을 ...2025.01.11
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중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서1(분반1등)2025.01.111. 센서 Thevenin 등가회로 구현 센서의 출력 전압을 오실로스코프로 측정하였을 때 200mV(peak to peak)가 측정되었다. V_th(=Vampl)의 크기는 100mV으로, peak to peak 값은 100mV*2= 200mV가 된다. 10kΩ의 부하 저항에 흐르는 전압을 측정해보니 100mV(peak to peak)가 측정되었다. 오실로스코프의 입력 임피던스 값은 부하 저항에 비해 매우 큰 값이고, 전류는 모두 부하 저항 쪽으로 흐르게 될 것이다. 우리는 전압 분배 법칙에 의해 계산을 해보면 100mV = 의 수...2025.01.11
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